[发明专利]一种SnTe基热电材料表面高结合强度低接触电阻阻挡层的制备方法有效
| 申请号： | 202111469874.8 | 申请日： | 2021-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN114171667B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 郭逢凯;隋解和;蔡伟 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34;H01L35/02 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 snte 热电 材料 表面 结合 强度 接触 电阻 阻挡 制备 方法 | ||
1.一种SnTe基热电材料表面高结合强度低接触电阻阻挡层的制备方法，其特征在于它是按照以下步骤进行的：
一、将成分为Sn0.88Mn0.12Te的热电材料研磨成细粉，得到合金粉末；
二、将Fe粉和Mn粉混合均匀，得到Fe-Mn混合粉；
所述的Fe粉与Mn粉的体积比1:(0.8～1.25)；
三、将合金粉末置于石墨模具中并将表面压平，然后将Fe-Mn混合粉铺在合金粉末上并压紧，在温度为450℃～600℃及压力为40MPa～80MPa的条件下，烧结5min～10min，即完成SnTe基热电材料表面高结合强度低接触电阻阻挡层的制备。
2.根据权利要求1所述的一种SnTe基热电材料表面高结合强度低接触电阻阻挡层的制备方法，其特征在于步骤一中所述的合金粉末的粒径为15μm～75μm。
3.根据权利要求1所述的一种SnTe基热电材料表面高结合强度低接触电阻阻挡层的制备方法，其特征在于步骤二中所述的Fe粉粒径为5μm～45μm。
4.根据权利要求1所述的一种SnTe基热电材料表面高结合强度低接触电阻阻挡层的制备方法，其特征在于步骤二中所述的Mn粉粒径为5μm～45μm。
5.根据权利要求1所述的一种SnTe基热电材料表面高结合强度低接触电阻阻挡层的制备方法，其特征在于步骤一中所述的合金粉末的粒径为15μm～45μm。
6.根据权利要求1所述的一种SnTe基热电材料表面高结合强度低接触电阻阻挡层的制备方法，其特征在于步骤二中所述的Fe粉粒径为1250目；步骤二中所述的Mn粉粒径为325目。
7.根据权利要求1所述的一种SnTe基热电材料表面高结合强度低接触电阻阻挡层的制备方法，其特征在于步骤二中所述的Fe粉与Mn粉的体积比1:(1～1.25)。
8.根据权利要求1所述的一种SnTe基热电材料表面高结合强度低接触电阻阻挡层的制备方法，其特征在于步骤二中所述的Fe粉与Mn粉的体积比1:1.1。
9.根据权利要求1所述的一种SnTe基热电材料表面高结合强度低接触电阻阻挡层的制备方法，其特征在于步骤三中在温度为500℃～600℃及压力为60MPa～80MPa的条件下，烧结8min～10min。
10.根据权利要求1所述的一种SnTe基热电材料表面高结合强度低接触电阻阻挡层的制备方法，其特征在于步骤三中在温度为500℃及压力为60MPa的条件下，烧结10min。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学，未经哈尔滨工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111469874.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
