[发明专利]一种基于光刻胶材料的超构表面在审
申请号: | 202111465417.1 | 申请日: | 2021-12-03 |
公开(公告)号: | CN114047566A | 公开(公告)日: | 2022-02-15 |
发明(设计)人: | 文静;彭嘉;张大伟;吴双宝 | 申请(专利权)人: | 上海理工大学 |
主分类号: | G02B1/00 | 分类号: | G02B1/00 |
代理公司: | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人: | 郑立 |
地址: | 200093 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 光刻 材料 表面 | ||
1.一种基于光刻胶材料的超构表面,其特征在于,所述超构表面采用光刻胶材料构建,所述超构表面的基本结构为微纳阵列结构,所述微纳阵列结构由基本单元组成,所述超构表面由所述基本结构进行周期性延伸形成。
2.如权利要求1所述的一种基于光刻胶材料的超构表面,其特征在于,所述微纳阵列结构的长宽横向尺寸小于1微米。
3.如权利要求2所述的一种基于光刻胶材料的超构表面,其特征在于,所述微纳阵列结构的深宽比大于10,以起到对波面的调控作用。
4.如权利要求1所述的一种基于光刻胶材料的超构表面,其特征在于,所述微纳阵列结构通过调整所述基本单元的旋向,实现对相位的调制。
5.如权利要求4所述的一种基于光刻胶材料的超构表面,其特征在于,所述微纳阵列结构为所述基本单元的阵列,所述基本单元的旋向不同,相邻的所述基本单元的单元距离为亚波长尺寸,所述基本单元通过改变旋转角度来调控相位,加载相位的不同旋向的所述基本单元满足奈奎斯特采样定理。
6.如权利要求5所述的一种基于光刻胶材料的超构表面,其特征在于,所述基本单元的旋转角度满足公式:
其中,(x,y)为所述微纳阵列结构中心所对应的空间位置,f为焦距,λ为波长。
7.如权利要求4所述的一种基于光刻胶材料的超构表面,其特征在于,所述基本单元为长方体状纳米柱或椭圆体状纳米柱中的一种。
8.如权利要求1所述的一种基于光刻胶材料的超构表面,其特征在于,所述微纳阵列结构通过调整所述基本单元的不同尺寸控制电磁波在所述超构表面中传输时的光程差来进行相位调控。
9.如权利要求8所述的一种基于光刻胶材料的超构表面,其特征在于,所述基本单元为长方体状纳米柱、椭圆体状纳米柱、正方体状纳米柱或圆柱体状纳米柱中的一种。
10.如权利要求1所述的一种基于光刻胶材料的超构表面,其特征在于,所述光刻胶材料具有双光子吸收效应。
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