[发明专利]显示面板及显示装置在审
申请号: | 202111460214.3 | 申请日: | 2021-12-02 |
公开(公告)号: | CN114171537A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 孙远;王超;刘广辉;刘立旺 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G09F9/30;G09G3/20 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨瑞 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
本申请公开了一种显示面板及显示装置,该显示面板包括有源层、栅极层以及金属层,可以在第二扫描线中扫描信号的脉冲上升沿到来时快速拉低第一扫描线中扫描信号的下降沿;构造低电位走线、控制走线以及下拉晶体管这些新增的结构于第一数据线与第二数据线之间,可以以较少的空间完成版图布局,能够尽可能地增加开口率。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展,刷新频率已经越来越成为衡量显示效果的重要指标之一。高刷新频率屏幕能够带来更加流畅的视觉体验,降低人眼的疲劳,并且随着各类应用软件对高刷新频率屏幕的适配,消费者也能够从高刷新频率屏幕获得更佳的观感和娱乐体验。传统显示设备的刷新频率一般为60Hz,近年来随着技术的发展,相继出现了90Hz、120Hz、150Hz甚至更高刷新频率的显示设备,从面板设计角度来讲,实现更高的刷新频率会受到器件性能、驱动能力、充电率等因素影响,例如在逐行扫描过程中,上一行扫描信号的下降沿会因其行负载导致关闭延迟,当逐行扫描的速度更快时,会发生充电异常导致的显示串扰。
具体地,常规的栅极逐行扫描时,每行开启的时间是刷新频率的倒数,若刷新频率为f,则每行扫描脉冲的开启时间为t=1/f,因此,当刷新频率f越大,每行扫描脉冲的开启时间则越少,例如,当f=60Hz时,t=16.67ms;当f=150Hz时,t=6.67ms。由于扫描脉冲的下降沿有延迟,以及扫描脉冲的开启时间也随着刷新频率的增大而缩短,因此,扫描脉冲的下降沿无法在开启时间结束时下降至理想电位,导致像素电路中的写入晶体管仍处于开启状态,即该写入晶体管仍然在传输数据信号,如此会导致显示异常。如图1所示,当扫描到下一行子像素即第N+1级扫描信号G(N+1)的脉冲上升沿到来时,第N级扫描信号G(N)的电位仍然无法关闭上一行像素电路中的写入晶体管。
因此,有必要提出一种显示面板,在其显示区中使得扫描信号的下降沿所用时间更短,同时能够获得尽可能高的开口率。
需要注意的是,上述关于背景技术的介绍仅仅是为了便于清楚、完整地理解本申请的技术方案。因此,不能仅仅由于其出现在本申请的背景技术中,而认为上述所涉及到的技术方案为本领域所属技术人员所公知。
发明内容
本申请提供一种显示面板及显示装置,以缓解显示区中扫描信号的下降沿所用时间较长且开口率较低的技术问题。
第一方面,本申请提供一种显示面板,其包括有源层、栅极层以及金属层,有源层包括下拉晶体管的源极连接区、下拉晶体管的漏极连接区;栅极层包括下拉晶体管的栅极、第一扫描线以及第二扫描线,第二扫描线与下拉晶体管的栅极电性连接,第一扫描线、第二扫描线沿第一方向依次相邻排列;金属层包括低电位走线、控制走线、第一数据线以及第二数据线,控制走线的一端与下拉晶体管的源极连接区电性连接,控制走线的另一端与第一扫描线电性连接,低电位走线与下拉晶体管的漏极连接区电性连接,第一数据线、第二数据线沿第二方向依次相邻排列;其中,在第二方向上,低电位走线、控制走线以及下拉晶体管均位于第一数据线与第二数据线之间。
在其中一些实施方式中,低电位走线靠近第一数据线或者第二数据线中的一个,控制走线靠近第一数据线或者第二数据线中的另一个;且在金属层中,低电位走线为连续的金属图案。
在其中一些实施方式中,低电位走线包括第一绕线部,第一绕线部靠近下拉晶体管的漏极连接区,且第一绕线部远离第一数据线或者第二数据线。
在其中一些实施方式中,控制走线包括折线部,折线部朝向下拉晶体管的源极连接区在金属层上的投影延伸,且在显示面板的厚度方向上,折线部与下拉晶体管的源极连接区在金属层上的投影至少部分重叠。
在其中一些实施方式中,下拉晶体管的源极连接区在有源层上的投影位于第二扫描线的一侧,且靠近第一扫描线;下拉晶体管的漏极连接区在有源层上的投影位于第二扫描线的另一侧,且远离第一扫描线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的