[发明专利]显示面板的制作方法及显示面板在审
申请号: | 202111458838.1 | 申请日: | 2021-12-02 |
公开(公告)号: | CN114156330A | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 覃事建;张磊 | 申请(专利权)人: | 惠州华星光电显示有限公司;深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 马广旭 |
地址: | 516000 广东省惠州市仲*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制作方法 | ||
本发明涉及一种显示面板的制作方法及显示面板,与现有方法中通过光刻加湿蚀刻两道工艺形成under cut结构相比,本发明所述制作方法通过一道蚀刻工艺即可在钝化层上形成under cut结构,节约产能,并且通过平坦化层和阳极层的配合形成对有机发光层和阴极的双层支撑,增强对阴极和有机发光层的支撑强度,避免塌陷风险。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板的制作方法及显示面板。
背景技术
自主发光的有机发光二极管显示器(Organic Light-Emitting Diode,OLED)的透明阴极因为透光需求,制作厚度较薄,造成方阻较大,面板电流压降(IR Drop)严重,导致显示面板有明显的亮度不均匀现象,严重影响了OLED显示装置的显示效果。目前OLED大尺寸面板设计一般使用背板辅助阴极引入的方法,主要是通过形成under cut(底切结构)连接阴极降低IR drop,而现有OLED显示面板制程中,作为阴极的支撑层在under cut形成过程中会出现后退,导致支撑层的支撑效果下降,存在塌陷风险。
发明内容
本发明目的在于,解决现有under cut制程存在阴极塌陷风险的问题。
为实现上述目的,本发明提供一种显示面板的制作方法,包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板上依次形成薄膜晶体管层、辅助电极层、钝化层和平坦化层;
在所述平坦化层表面形成贯通所述平坦化层和所述钝化层以暴露至少部分所述薄膜晶体管层的源极的第一接触孔;
在所述平坦化层表面形成贯通所述平坦化层和所述钝化层以暴露部分所述辅助电极层的第二接触孔;
在所述平坦化层表面形成阳极层,所述阳极层通过第一接触孔与所述源极电连接,所述阳极层通过第二接触孔沉积至所述辅助电极层表面;
在所述阳极层表面形成光阻层,在所述光阻层表面形成与所述第二接触孔相对应的第一开孔;
蚀刻去除沉积在所述辅助电极层表面的阳极层以在所述阳极层表面形成与所述第一开孔相对应的第二开孔;
蚀刻覆盖所述辅助电极层的至少部分钝化层以形成暴露至少部分所述辅助电极层的底切腔体;
去除所述光阻层;
蚀刻所述阳极层形成阳极;
去除剩余阳极层。
可选的,所述去除剩余阳极层的步骤包括保留沉积于所述第二接触孔内壁的阳极层。
可选的,所述第二接触孔包括形成于所述平坦化层表面的凹槽以及形成于所述凹槽底面的、与所述底切腔体连通的第一通孔,所述凹槽的内径由远离所述辅助电极层一端向靠近所述辅助电极层一端逐渐减小,所述阳极层沉积于所述凹槽内壁,所述阳极层上的第二开孔的内径大于或者等于所述第一通孔的内径。
可选的,所述第一通孔在所述辅助电极层表面的正投影面积小于所述底切腔体在所述辅助电极层表面的正投影面积。
可选的,所述在所述衬底基板上依次形成薄膜晶体管层、辅助电极层、钝化层和平坦化层的步骤中还包括:在所述钝化层表面形成第二支撑层;所述平坦化层覆盖所述第二支撑层,所述第二支撑层位于所述辅助电极层上方;所述第二接触孔贯通所述平坦化层、所述第二支撑层和所述钝化层。
可选的,所述第二接触孔包括形成于所述平坦化层的第二通孔和形成于所述第二支撑层并与所述第二通孔连通的第三通孔,所述第二通孔的内径由远离所述辅助电极层一端向靠近所述辅助电极层一端逐渐减小,所述第三通孔的内径小于所述第二通孔靠近所述辅助电极层一端端口的内径。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的