[发明专利]一种用于三维集成电路的硅通孔型开口谐振环带阻滤波器

权利要求书

1.一种用于三维集成电路的硅通孔型开口谐振环带阻滤波器，其特征在于，包括：

设置在硅基片内部中心位置的垂直方向信号传输路径，以及设置在硅基片内部呈十字型围绕所述垂直方向信号传输路径的三维开口谐振环阵列；

所述硅基片包括衬底层(7)以及上下两层布线层(11)，所述垂直方向信号传输路径由衬底层内的信号线TSV(1)、位于两层布线层的通孔(2)以及布线层内的输入输出端口(3)构成，所述信号线TSV(1)通过两端的通孔(2)与所述输入输出端口(3)相连；

所述三维开口谐振环阵列由四个三维开口谐振环阵元构成，相邻三维开口谐振环阵元之间的相位夹角为90度，每个三维开口谐振环阵元分别由两个开口环构成，每个开口环由位于上层布线层的顶部互连线(4)、两根埋置入衬底层(7)的TSV阵列(5)、和位于底层布线层的底部互连线(6)构成封闭的口字形回路，每个开口环上设置有开口(10)，一个开口环上的开口与另一个开口环上的开口中心对称；

所述垂直方向信号传输路径通过自身的衬底层(7)分别与上下两片三维集成电路的布线层相连，并在顶部或底部的中心处开口。

2.根据权利要求1所述的硅通孔型开口谐振环带阻滤波器，其特征在于，每个开口谐振环阵元中的两个开口环结构大小相同，且相邻设置，一个开口环的开口位于上层布线层，另一个开口环的开口位于下层布线层。

3.根据权利要求1所述的硅通孔型开口谐振环带阻滤波器，其特征在于，每个开口谐振环阵元中的两个开口环结构相同，大小不同；一个开口环位于另一个开口环的内部，一个开口环的开口位于上层布线层，另一个开口环的开口位于下层布线层。

4.根据权利要求3所述的硅通孔型开口谐振环带阻滤波器，其特征在于，位于外部的开口环还包括设置于上下两层布线层的连接通孔，由位于上层布线层的顶部互连线(4)通过连接通孔、与两根埋置入衬底层(7)的TSV阵列(5)、位于底层布线层的底部互连线(6)构成封闭的口字形回路。

5.根据权利要求1所述的硅通孔型开口谐振环带阻滤波器，其特征在于，所述信号线TSV(1)以及TSV阵列(5)均由圆柱形金属内导体和包围该导体的绝缘物衬垫层构成。

6.根据权利要求1所述的硅通孔型开口谐振环带阻滤波器，其特征在于，根据化学机械抛光工艺调整所述布线层、信号线TSV(1)以及TSV阵列(5)的高度，以满足器件的设计要求。