[发明专利]通信设备、阵列天线及低频振子

权利要求书

1.一种低频振子，其特征在于，所述低频振子设有透波单元；

其中，所述透波单元包括具有相对的第一表面与第二表面的第一基体、设置于所述第一表面上的导电围框、及设置于所述第二表面的导电体，沿垂直于所述第一表面方向，所述导电体的投影至少有部分落在所述导电围框的围设区域内，所述导电体与所述导电围框耦合配合，使所述导电围框与所述导电体能够激励出相互抵消的感应电流；

其中，所述导电体包括沿所述导电围框的宽度方向间隔设置第一导电带、第二导电带及第三导电带，所述第一导电带、所述第二导电带及所述第三导电带均相互平行设置，所述第一导电带的投影全部落入所述导电围框的围设区域内，沿所述导电围框的长度方向，所述第一导电带与所述导电围框耦合配合；沿所述导电围框的宽度方向，所述第一导电带设置于所述第二导电带与所述第三导电带之间并与所述第二导电带和所述第三导电带均电性连接，且所述第二导电带及所述第三导电带均与所述导电围框间隔设置并耦合配合。

2.根据权利要求1所述的低频振子，其特征在于，所述导电围框呈矩形框架，所述导电围框的长度与宽度的比值大于等于2且小于等于3，且所述导电围框的周长为透射频段对应的真空波长。

3.根据权利要求2所述的低频振子，其特征在于，所述导电围框的横截宽度为0.5mm～1.2mm。

4.根据权利要求1所述的低频振子，其特征在于，沿垂直于所述第一表面方向，所述第二导电带的投影及所述第三导电带的投影均完全落入所述导电围框的围设区域内；沿所述导电围框的宽度方向，所述第二导电带及所述第三导电带与所述第一导电带的间距均为L₁，所述第二导电带与最近的导电围框的间距及所述第三导电带与最近的导电围框的间距均为L₂，其中，L₁＝L₂，且1mm ≤L₁≤1.2mm。

5.根据权利要求1所述的低频振子，其特征在于，沿垂直于所述第一表面方向，所述第二导电带的投影及所述第三导电带的投影均完全落入所述导电围框的围设区域外；沿所述导电围框的宽度方向，所述第二导电带与最近的导电围框的间距为L₃，所述第三导电带与最近的导电围框的间距为L₄，其中，L₃＝L₄，且1mm≤L₃≤1.2mm。

6.根据权利要求1所述的低频振子，其特征在于，沿垂直于所述第一表面方向，所述第二导电带的投影完全落入所述导电围框的围设区域内，所述第三导电带的投影完全落入所述导电围框的围设区域外，沿所述导电围框的宽度方向，所述第二导电带与所述第一导电带的间距为L₈，所述第二导电带与最近的所述导电围框的间距为L₉，所述第三导电带与最近的所述导电围框的间距为L₁₀，其中，L₈＝L₉＝L₁₀，且1mm≤L₈≤1.2mm。

7.根据权利要求1所述的低频振子，其特征在于，沿垂直于所述第一表面方向，所述第二导电带的投影完全落入所述导电围框的围设区域外，所述第三导电带的投影完全落入所述导电围框的围设区域内，沿所述导电围框的宽度方向，所述第二导电带与最近的所述导电围框的间距为L₁₁，所述第三导电带与所述第一导电带的间距为L₁₂，所述第三导电带与最近的所述导电围框的间距为L₁₃，其中，L₁₁＝L₁₂＝L₁₃，且1mm≤L₁₁≤1.2mm。