[发明专利]一种晶圆缺陷扫描方法及系统

说明书

本发明提供一种晶圆缺陷扫描方法及系统，包括：获取晶圆的表面形貌信息，并将晶粒所在区域设定为扫描区域，将切割道所在区域设定为非扫描区域；利用一检测光束逐个对所述扫描区域进行缺陷扫描，扫描每个所述扫描区域时，所述检测光束逐行/逐列对所述扫描区域进行扫描，当扫描到所述扫描区域的最后一行/列时，所述检测光束沿所述扫描方向上的边缘与所述扫描区域的边缘对齐。改变最后以行/列的所述检测光束的位置，从根本上避免了所述检测光束照射到所述非检测区域，进而避免所述非检测区域的散射光噪声的引入对晶圆缺陷扫描的结果造成影响，提高所述晶圆缺陷扫描结果的精准性。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆缺陷扫描方法及系统。

背景技术

随着半导体器件工艺的发展，半导体器件的尺寸不断缩小，晶圆缺陷扫描已经成为提升半导体器件良率一项不可或缺的手段，晶圆缺陷扫描是通过晶圆缺陷扫描机台捕获晶圆表面的缺陷，随着半导体芯片集成度越来越高，晶圆缺陷扫描的难度也越来越大。

暗场扫描技术由于其产能、成本和特定层适用性等方面的优势在晶圆缺陷检测领域中被广泛地应用。暗场扫描的原理是利用与检测晶圆平面呈较大倾角的斜入射激光作为光源，通过收集检测光束接触晶圆表面后向多个方向反射得到的散射光信号来判断晶圆表面的某一位置上是否存在缺陷，再以这种方式扫描整个晶圆从而得到晶圆的缺陷分布图。但使用该方法进行晶圆缺陷扫描时，检测光束在扫描过程中会照射到扫描区域边缘的非扫描区域，引入不必要的噪声，进而对晶圆缺陷检测结果的精准度造成影响。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆缺陷扫描方法及系统，以避免检测光束在扫描过程中照射到检测区边缘的非检测区域，进而提高晶圆缺陷检测的精准度及检测效率。

为了达到上述目的，本发明提供了一种晶圆缺陷扫描方法，包括：

获取晶圆的表面形貌信息，并将晶粒所在区域设定为扫描区域，将切割道所在区域设定为非扫描区域；

利用一检测光束逐个对所述扫描区域进行缺陷扫描，扫描每个所述扫描区域时，在沿扫描方向及垂直于扫描方向上，所述检测光束的宽度均小于所述扫描区域的宽度，所述检测光束逐行/逐列对所述扫描区域进行扫描，当扫描到所述扫描区域的最后一行/列时，所述检测光束沿所述扫描方向上的边缘与所述扫描区域的边缘对齐。

可选的，当所述检测光束扫描到所述扫描区域的最后一行/列之前，判断所述检测光束沿所述扫描方向上的边缘是否会超出所述扫描区域的边缘，若是，则沿背离所述扫描方向的方向移动所述检测光束，直至所述检测光束沿所述扫描方向上的边缘与所述扫描区域的边缘对齐。

可选的，对所述扫描区域进行缺陷扫描的步骤还包括：

扫描所述扫描区域的最后一行/列时，若最后一行/列的所述检测光束的扫描范围与倒数第二行/列的所述检测光束的扫描范围具有重叠时，抛弃重叠的扫描范围上的缺陷扫描结果。

可选的，每个所述扫描区域均完成缺陷扫描之后，还包括：

将每个所述扫描区域的缺陷扫描结果与标准结果进行对比，若所述扫描区域内某一位置上的灰度值与所述标准结果的对应位置的灰度值之差大于设定阈值，则对该位置进行缺陷标记。

可选的，所述标准结果的每个位置上的灰度值为与所述扫描区域相邻的多个所述扫描区域内同一位置上的灰度值的平均值。

可选的，获取所述晶圆的表面形貌信息的步骤包括：

在所述晶圆表面建立以所述晶粒相互垂直的两边为坐标轴方向的坐标系；

获取所述晶圆表面的所述晶粒和所述切割道的分布情况及尺寸数据。

可选的，所述晶圆上的表面形貌信息通过光学电子显微镜、扫描电子显微镜或聚焦粒子束扫描设备获取。