[发明专利]电熔丝单元阵列的版图布局方法

权利要求书

1.一种电熔丝单元阵列的版图布局方法，其特征在于，包含：电熔丝单元对结构，其包含，二个电熔丝晶体管单元；

第一电熔丝晶体管单元包含：第一晶体管和第一电熔丝单元；

第二电熔丝晶体管单元包含：第二晶体管和第二电熔丝单元；

第一电熔丝单元跨接在第一晶体管和第二晶体管上；

第二电熔丝单元跨接在第二晶体管和第一晶体管上。

2.根据权利要求1所述的电熔丝单元阵列的版图布局方法，其特征在于，

第一电熔丝单元包含第一阳极垫、第一熔丝、第一阴极垫，第一熔丝两端连接第一阳极垫和第一阴极垫；

第二电熔丝单元包含第二阳极垫、第二熔丝、第二阴极垫，第二熔丝两端连接第二阳极垫和第二阴极垫；

第一阳极垫-第一熔丝-第一阴极垫平行于第二阴极垫-第二熔丝-第二阳极垫沿第一方向布置，

在垂直于第一方向的第二方向上，第一阳极垫对准第二阴极垫，第一阴极垫对准第二阳极垫。

3.根据权利要求2所述的电熔丝单元阵列的版图布局方法，其特征在于，

第一阳极垫位于第二晶体管处，第一阴极垫位于第一晶体管处；

第二阳极垫位于第一晶体管处，第二阴极垫位于第二晶体管处；

第一晶体管和第二晶体管交叉对称布置。

4.根据权利要求1所述的电熔丝单元阵列的版图布局方法，其特征在于，第一晶体管和第二晶体管为MOS管。

5.根据权利要求4所述的电熔丝单元阵列的版图布局方法，其特征在于，第一晶体管和第二晶体管为NMOS管。

6.根据权利要求2所述的电熔丝单元阵列的版图布局方法，其特征在于，

第一阳极垫、第一阴极垫成板状，第一熔丝成条状，第一阳极垫、第一阴极垫的宽度远大于第一熔丝的宽度；

第二阳极垫、第二阴极垫成板状，第二熔丝成条状，第二阳极垫、第二阴极垫的宽度远大于第二熔丝的宽度。

7.根据权利要求2所述的电熔丝单元阵列的版图布局方法，其特征在于，

第一阳极垫、第二阳极垫采用第三金属层形成；

第一熔丝、第二熔丝采用第二金属层形成；

第一阴极垫、第二阴极垫采用第二金属层形成；

第一阳极垫通过第一连通孔从第三金属层连接到第一熔丝的第二金属层；

第二阳极垫通过第二连通孔从第三金属层连接到第二熔丝的第二金属层。

8.根据权利要求7所述的电熔丝单元阵列的版图布局方法，其特征在于，

第二金属层沿着第一方向布置，第三金属层沿着第二方向布置；

第一位线、第二位线分别通过第三金属层形成；

字线通过第二金属层形成。

9.根据权利要求8所述的电熔丝单元阵列的版图布局方法，其特征在于，

形成的等效电路，包含：

位于第三金属层的第一位线与位于第三金属层的第一阳极垫相连，通过第一连通孔与位于第二金属层的第一熔丝相连，再连接到位于第二金属层的第一阴极垫；

位于第三金属层的第二位线与位于第三金属层的第二阳极垫相连，通过第二连通孔与位于第二金属层的第二熔丝相连，再连接到位于第二金属层的第二阴极垫；

第一阳极垫位于第一晶体管处，第一阴极垫位于第二晶体管处；

第二阳极垫位于第二晶体管处，第二阴极垫位于第一晶体管处；

第一晶体管和第二晶体管交叉对称布置；

第一晶体管、第二晶体管的源极、漏极、栅极都采用第二金属层形成连接；

形成的等效电路，还包含：

第一晶体管的源极或漏极连接第一阴极垫，第一晶体管的漏极或源极接地，第一晶体管的栅极连接字线；

第二晶体管的源极或漏极连接第二阴极垫，第二晶体管的漏极或源极接地，第二晶体管的栅极连接字线。

10.根据权利要求1所述的电熔丝单元阵列的版图布局方法，其特征在于，将本方法提供的电熔丝单元对结构阵列，形成了整体集成电路。