[发明专利]高精度取芯片装置在审
| 申请号： | 202111445785.X | 申请日： | 2021-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN116207030A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 黄力;翁加林 | 申请（专利权）人： | 道晟半导体（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687;H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 袁紫薇 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高精度 芯片 装置 | ||
1.一种高精度取芯片装置，其特征在于：包括：晶圆（1）、蓝膜（2）和吸嘴（3），所述蓝膜（2）贴敷于晶圆（1）的背面，所述晶圆（1）进一步包括若干个与蓝膜（2）贴敷的芯片（5），所述吸嘴（3）位于晶圆（1）与蓝膜（2）相背的上方，所述蓝膜（2）与晶圆（1）相背的下方设置有一用于将芯片（21）往上吹起的气体顶针（4），此气体顶针（4）与气源（6）之间设置有一用于控制气体顶针（4）吹气的电磁阀（7）；
包括以下步骤：
步骤一、所述粘贴于蓝膜（2）上晶圆（1）中相应的芯片（5）移动到吸嘴（3）正上方；
步骤二、所述吸嘴（3）在电磁阀（7）控制下，从吸嘴（3）吹出气体射向相应的芯片（5）正下方的蓝膜（2）区域。
2.根据权利要求1所述的高精度取芯片装置，其特征在于：所述气体顶针（4）朝向蓝膜（2）的表面开有至少2个出气孔（42）。
3.根据权利要求1所述的高精度取芯片装置，其特征在于：所述蓝膜（2）的尺寸大于晶圆（1）的尺寸。
4.根据权利要求1所述的高精度取芯片装置，其特征在于：所述吸嘴（3）为真空吸嘴，此吸嘴（3）的中心处设置有一抽气管路（31）。
5.根据权利要求1所述的高精度取芯片装置，其特征在于：所述蓝膜（2）为塑料薄膜。
6.根据权利要求1所述的高精度取芯片装置，其特征在于：所述气体顶针（4）的中心处设置有一出气管路（41）。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
