[发明专利]Sub-6GHz和毫米波频段的宽带共口径偶极子阵列在审

专利信息
申请号: 202111445759.7 申请日: 2021-11-30
公开(公告)号: CN114156659A 公开(公告)日: 2022-03-08
发明(设计)人: 范奎奎;范潇飞;谭青权;罗国清 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: H01Q13/10 分类号: H01Q13/10;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q5/20;H01Q15/14;H01Q1/48;H01Q21/00
代理公司: 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 代理人: 朱亚冠
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: sub ghz 毫米波 频段 宽带 口径 偶极子 阵列
【权利要求书】:

1.Sub-6GHz和毫米波频段的宽带共口径偶极子阵列,为多层垂直排布结构,其特征在于包括毫米波偶极子天线、Sub-6GHz低频天线、多层介质基板;其中多层介质基板从上至下依次包括第一介质基板S1、第三介质基板S3、第二介质基板S2;

其中:所述Sub-6GHz低频天线包括低频天线反射板、低频偶极子、双面平行微带线、接地共面波导转双面平行微带线结构、低频接地支节;

所述低频天线反射板包括低频天线H面反射板、低频天线E面反射板;所述第一介质基板S1的上表面一侧和第二介质基板S2的下表面一侧均设有一低频天线E面反射板,另一侧留白;低频天线E面反射板与留白区域间设有低频天线H面反射板;第一介质基板S1处的低频天线E面反射板和第二介质基板S2处的低频天线E面反射板位置重叠;第一介质基板S1处的低频天线H面反射板和第二介质基板S2处的低频天线H面反射板位置重叠;

所述第一介质基板S1上表面的低频天线H面反射板中心开有第二缝隙,所述第二介质基板S2下表面的低频天线H面反射板开有第三缝隙;

所述第一介质基板S1上表面的低频天线E面反射板内开有类U型缝隙,该类U型缝隙位于第二缝隙内;

所述低频偶极子包括位于第一介质基板S1上表面的顶层低频偶极子臂、位于第二介质基板S2下表面的底层低频偶极子臂;顶层低频偶极子臂和底层低频偶极子臂结构相同,均各自包括左臂和右臂,其中左臂和右臂均开有第一缝隙;所述左臂和右臂间留有一定距离;

所述双面平行微带线作为馈电结构,其包括位于第一介质基板S1上表面的第一微带线、位于第二介质基板S2下表面的第二微带线;

所述第一微带线位于类U型缝隙内,其与顶层低频偶极子臂中左臂的一端连接;顶层低频偶极子臂中左臂的另一端悬空;

所述第二微带线的一端接第二介质基板S2下表面的低频天线E面反射板,另一端与底层低频偶极子臂中右臂的一端连接;底层低频偶极子臂中右臂的另一端悬空;

所述低频接地支节包括第一低频接地支节微带线、第二低频接地支节微带线、第三低频接地支节微带线、第四低频接地支节微带线;第一低频接地支节微带线、第二低频接地支节微带线位于第一介质基板S1的上表面,其均与低频天线E面反射板连接,且分别位于顶层低频偶极子臂的两侧;第三低频接地支节微带线、第四低频接地支节微带线位于第二介质基板S2的下表面,其均与低频天线E面反射板连接,且分别位于底层低频偶极子臂的两侧;

其中:所述毫米波偶极子天线包括高频偶极子天线阵列、高频接地支节、高频馈电网络、高频反射板;

所述高频反射板采用Sub-6GHz低频天线中低频偶极子;

所述高频馈电网络拥有一个信号输入端,4个信号输出端;其包括位于第三介质基板S3、第二介质基板S2间的信号导带,多个周期性分布的第一金属化通孔,分别位于第一介质基板S1上表面和第二介质基板S2下表面的金属地;

所述高频偶极子天线阵列包括4个高频偶极子天线单元;每个高频偶极子天线单元包括位于第一介质基板S1上表面的顶层偶极子,位于第三介质基板S3、第二介质基板S2间的中间层偶极子,以及位于第二介质基板S1下表面的底层偶极子;位于第一介质基本S1上表面的高频反射板的上端与各高频偶极子天线单元的顶层偶极子的一端连接,各高频偶极子天线单元的顶层偶极子的另一端悬空;位于第二介质基本S2下表面的高频反射板的上端与各高频偶极子天线单元的底层偶极子的一端连接,各高频偶极子天线单元的底层偶极子的另一端悬空;所述信号导带的4个信号输出端处直接与各偶极子天线单元的信号输入端连接;各偶极子天线单元的信号输入端为中间层偶极子的一端;各偶极子天线单元的中间层偶极子的另一端悬空;

所述高频接地支节包括第一高频接地支节微带线、第二高频接地支节微带线、第三高频接地支节微带线、第四高频接地支节微带线;第一高频接地支节微带线、第二高频接地支节微带线位于第一介质基板S1的上表面,其均与高频反射板连接,且分别位于高频偶极子天线阵列的两侧;第三高频接地支节微带线、第四高频接地支节微带线位于第二介质基板S2的下表面,其均与高频反射板连接,且分别位于高频偶极子天线阵列的两侧;

所述高频馈电网络的输入端采用GCPW转SICL结构。

2.如权利要求1所述的Sub-6GHz和毫米波频段的宽带共口径偶极子阵列,其特征在于位于第二介质基板S2下表面的低频天线E面反射板中馈电网络输入端部分内开有U型缝隙,该U型缝隙的开口朝外设置。

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