[发明专利]一种氮化镓晶体管的驱动控制电路、方法、设备、介质有效
申请号: | 202111445682.3 | 申请日: | 2021-12-01 |
公开(公告)号: | CN113872428B | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 陈海鹏 | 申请(专利权)人: | 珠海智融科技股份有限公司 |
主分类号: | H02M1/38 | 分类号: | H02M1/38;H02M3/335;H03K17/16;H03K17/56 |
代理公司: | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人: | 程华 |
地址: | 519000 广东省珠海市高新区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氮化 晶体管 驱动 控制电路 方法 设备 介质 | ||
1.一种氮化镓晶体管的驱动控制电路,其特征在于,所述驱动控制电路包括反激电源电路和电子开关;所述反激电源电路包括控制芯片、驱动电阻、氮化镓晶体管和电流检测电阻;所述控制芯片包括Driver引脚和CS引脚;所述驱动电阻一端与所述Driver引脚相连接,另一端与所述氮化镓晶体管的栅极相连接;所述氮化镓晶体管的源极分别与所述CS引脚和所述电流检测电阻的一端连接;所述电流检测电阻的另一端接地;
所述控制芯片还包括ADriver引脚;所述电子开关的第一端与所述ADriver引脚连接,第二端连接于所述驱动电阻和所述氮化镓晶体管之间,第三端连接于所述电流检测电阻和所述CS引脚之间;
在所述氮化镓晶体管的每一驱动控制周期,执行以下操作:
所述控制芯片的Driver引脚输出高电平,所述ADriver引脚输出低电平,直至所述CS引脚的电压达到预设限制值时,所述Driver引脚输出低电平,所述ADriver引脚输出低电平;延时第一死区时间后,所述Driver引脚输出低电平,所述ADriver引脚输出高电平,直至达到第一预设时刻,所述Driver引脚输出低电平,所述ADriver引脚输出低电平;延时第二死区时间后进入下一驱动控制周期。
2.根据权利要求1所述的驱动控制电路,其特征在于,所述控制芯片内设置有6V稳压输出模块、Driver驱动模块、死区产生模块和ADriver驱动模块;所述6V稳压输出模块分别与所述Driver驱动模块和所述死区产生模块相连接;所述Driver驱动模块和所述死区产生模块相连接;所述死区产生模块还与所述ADriver驱动模块相连接;所述Driver驱动模块与所述Driver引脚相连接;所述ADriver驱动模块与所述ADriver引脚相连接。
3.根据权利要求2所述的驱动控制电路,其特征在于,所述预设限制值为所述控制芯片的FB引脚的电压在所述控制芯片内进行分压处理后所得到的电压值。
4.根据权利要求1所述的驱动控制电路,其特征在于,所述控制芯片包括两种工作模式:CCM模式和DCM模式;当所述控制芯片处于所述CCM模式时,所述第一预设时刻根据驱动控制周期的开始时刻到所述第一预设时刻的预设固定时间间隔确定,所述第二死区时间根据所述预设固定时间间隔和所述驱动控制周期确定;当所述控制芯片处于所述DCM模式时,所述第一预设时刻为所述控制芯片的ZCD引脚检测到的振荡程度大于预设振荡程度的时刻;所述第二死区时间为从所述第一预设时刻到所述控制芯片的ZCD引脚检测到电压为零的时刻之间的间隔与第一预设时间间隔的和。
5.一种氮化镓晶体管的驱动控制方法,其特征在于,所述驱动控制方法包括:
在氮化镓晶体管的每一驱动控制周期,执行以下操作:
控制控制芯片的Driver引脚输出高电平,ADriver引脚输出低电平,直至所述控制芯片的CS引脚的电压达到预设限制值时,控制所述Driver引脚输出低电平,所述ADriver引脚输出低电平;延时第一死区时间后,控制所述Driver引脚输出低电平,所述ADriver引脚输出高电平,直至达到第一预设时刻,控制所述Driver引脚输出低电平,所述ADriver引脚输出低电平;延时第二死区时间后进入下一驱动控制周期。
6.根据权利要求5所述的驱动控制方法,其特征在于,所述直至所述控制芯片的CS引脚的电压达到预设限制值时,控制所述Driver引脚输出低电平,所述ADriver引脚输出低电平具体包括:
实时检测所述控制芯片的CS引脚的电压;
判断所述CS引脚的电压是否达到预设限制值;所述预设限制值为所述控制芯片的FB引脚的电压在所述控制芯片内进行分压处理后所得到的电压值;
若是,则控制所述Driver引脚输出低电平,所述ADriver引脚输出低电平;
若否,则保持控制芯片的Driver引脚输出高电平,ADriver引脚输出低电平。
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