[发明专利]间隙填充的非晶纳米晶绝缘成品粉末及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111445533.7 申请日: 2021-11-30
公开(公告)号: CN114147218A 公开(公告)日: 2022-03-08
发明(设计)人: 王策;陈卫红;宗伟;胡丽红 申请(专利权)人: 佛山市中研非晶科技股份有限公司
主分类号: B22F1/16 分类号: B22F1/16;B22F1/142;B22F1/145;B22F1/10;C22C45/02;C22C38/34;C22C38/04;C22C38/32;C22C38/54;C22C38/38;C22C38/58;C22C38/20;C22C38/22;H01F1/153
代理公司: 广州科粤专利商标代理有限公司 44001 代理人: 庞伟健;莫瑶江
地址: 528000 广东省佛山市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 间隙 填充 纳米 绝缘 成品 粉末 及其 制备 方法
【说明书】:

发明提供的一种非晶纳米晶绝缘成品粉末,其包括非晶纳米晶混合粉末及包覆于所述非晶纳米晶混合粉末外层的绝缘层,该非晶纳米晶混合粉末中包括由呈类球型状的非晶纳米晶雾化粉末及填充于所述非晶纳米晶雾化粉末间隙中的填充粉末组成,所述填充粉末包括铁硅铬粉末和/或羰基铁粉末;本发明的间隙填充的非晶纳米晶绝缘成品粉末,通过应用有填充粉末对非晶纳米晶雾化粉末作填充配合,全部或部分的填充粉末置入至各非晶纳米晶雾化粉末之间,从而有效增加该混合粉末粉粒之间的结合强度;并使得以该非晶纳米晶绝缘成品粉末制备的非晶纳米晶产品具有产品密度高、性能改善的技术效果。

技术领域

本发明涉及软磁合金冶金技术领域,具体涉及一种间隙填充的非晶纳米晶绝缘成品粉末及其制备方法。

背景技术

非晶材料具有高的饱和磁感、高磁导率、低矫顽力和低的高频损耗、良好的强硬度、耐磨性及耐腐蚀性、良好的温度及环境稳定性等,其优异的综合性能,代替坡莫合金、硅钢和铁氧体,在电力电子技术中应用,显示出体积小、效率高、节能等特点,在所有的金属软磁材料中具有最佳的性能价格比。

现有技术中,主要以羰基铁粉及铁硅铬粉以作一体成型电感的制备原料,但以上两种粉末具有更大的磁滞损耗,并且粉末体电阻率较低造成产品应用过程更大的涡流损耗,该类产品应用中具有较高的损耗,引起产品发热、能效降低等问题。

“非晶纳米晶”,于本领域而言可视为是对非晶、纳米晶两者的并列概念约定俗成称谓,而本领域中,基于合金的处理阶段不同,于非晶至纳米晶的转化过程中,或存在有非晶态、非晶态与纳米晶共存的形态及纳米晶态的三者形态,故该“非晶纳米晶”的限定描述,可视为是对非晶态、非晶且纳米晶态、纳米晶态三种的合金形态的上位概括概念。

发明内容

本发明的目的在于为克服现有技术的不足而提供一种间隙填充的非晶纳米晶绝缘成品粉末及其制备方法。

非晶纳米晶绝缘成品粉末,其包括非晶纳米晶混合粉末及包覆于所述非晶纳米晶混合粉末外层的绝缘层,该非晶纳米晶混合粉末中包括由呈类球型状的非晶纳米晶雾化粉末及填充于所述非晶纳米晶雾化粉末间隙中的填充粉末组成。

进一步地,所述非晶纳米晶雾化粉末成分包括有Fe100-a-b-c-x-y-zSiaBbCcMnxCryXZ,,式中X为P、Cu、Mo、Ni中的任意一种,其中8≤a≤15,6≤b≤12,0.2≤c≤3.0,0.1≤x≤3.5,0.5≤y≤2.5,0≤Z≤4.0。

进一步地,其中6≤b≤9,0.3≤y≤2.5。

进一步地,所述非晶纳米晶雾化粉末成分包括有Fe75Si11B9C2.5Cr2.3Mn0.2

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