[发明专利]一种体声波谐振器及其制造方法在审
| 申请号: | 202111445322.3 | 申请日: | 2021-11-30 |
| 公开(公告)号: | CN116208116A | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
| 发明(设计)人: | 王宇航;赖志国;杨清华 | 申请(专利权)人: | 苏州汉天下电子有限公司 |
| 主分类号: | H03H9/17 | 分类号: | H03H9/17;H03H3/02;H03H9/02 |
| 代理公司: | 北京元合联合知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11653 | 代理人: | 李非非 |
| 地址: | 215000 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 声波 谐振器 及其 制造 方法 | ||
1.一种体声波谐振器的制造方法,该制造方法包括:
提供衬底并在该衬底上形成第一凹槽;
对所述第一凹槽进行填充以形成第一层结构,该第一层结构的材料具有在受热/受冷时体积收缩以及在受热/受冷结束后体积保持稳定的特性;
在所述衬底上形成下电极并在该下电极上形成第一框架结构,该第一框架结构包括第一凸起结构和/或第一凹陷结构;
在所述下电极上依次形成压电层和上电极,其中,所述上电极、所述压电层、所述下电极以及所述第一凹槽在器件厚度方向上存在重叠区域,所述第一框架结构位于所述重叠区域的边缘处;
该制造方法还包括:使所述第一层结构受热/受冷令其体积收缩,以在所述下电极下方形成第一空气隙。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其中,在所述下电极上形成第一框架结构的步骤包括:
在所述下电极上沉积第一光刻胶层并对该第一光刻胶层进行图形化以暴露所述下电极上表面待形成第一凹陷结构的第一区域,对所述第一区域进行刻蚀以形成第一凹陷结构,以及去除所述第一光刻胶层;和/或
在所述下电极上形成第二光刻胶层并对该第二光刻胶层进行图形化以暴露所述下电极上表面待形成第一凸起结构的第二区域,在所述第二区域上形成第一凸起结构,以及去除所述第二光刻胶层。
3.根据权利要求1或2所述的制造方法,其中:
在所述下电极上形成压电层之后该制造方法还包括:对所述压电层上表面与待形成连接部相对应的第三区域进行刻蚀以形成第二凹槽,并在该第二凹槽内形成第二层结构,该第二层结构的上表面高于所述压电层的上表面;
在形成所述上电极的同时该制造方法还包括:形成所述连接部,其中,所述连接部与所述上电极连接且位于所述第二层结构上方;
该制造方法还包括:使所述第二层结构受热/受冷令其体积收缩,以在所述连接部下方形成第二空气隙。
4.根据权利要求3所述的制造方法,其中:
所述第二层结构受热/受冷后其上表面与所述压电层上表面齐平;或
所述第二层结构受热/受冷后其上表面高于所述压电层上表面;或
所述第二层结构受热/受冷后其上表面低于所述压电层上表面。
5.根据权利要求3所述的制造方法,其中,所述连接部包括桥部和/或翼部。
6.根据权利要求5所述的制造方法,其中,所述连接部靠近所述上电极的区域其上表面呈阶梯形状。
7.根据权利要求1所述的制造方法,在形成所述上电极之后,该制造方法还包括:
在所述上电极上形成位于所述重叠区域边缘处的第二框架结构,其中,所述第二框架结构包括第二凸起结构和/或第二凹陷结构。
8.一种体声波谐振器,该体声波谐振器包括:
衬底,该衬底上形成有第一凹槽;
下电极、压电层以及上电极,该下电极、压电层以及上电极依次形成在所述衬底上,其中,所述下电极、所述压电层、所述上电极以及所述第一凹槽在器件厚度方向上存在重叠区域;
第一框架结构,该第一框架结构形成在所述下电极上且位于所述重叠区域的边缘处,其中,所述第一框架结构包括第一凸起结构和/或第一凹陷结构;
受热/受冷后的第一层结构以及第一空气隙,该受热/受冷后的第一层结构位于所述第一凹槽内,该第一空气隙位于所述受热/受冷后的第一层结构和所述下电极之间,其中,所述第一层结构的材料具有在受热/受冷时体积收缩以及在受热/受冷结束后体积保持稳定的特性,所述第一空气隙是由所述第一层结构受热/受冷后体积收缩所形成的。
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