[发明专利]一种栅极驱动电路、驱动方法

说明书

本申请公开了一种栅极驱动电路、驱动方法，包括多个级联设置的移位寄存器电路及设置在所述移位寄存器电路上的触控降噪电路，在所述多个级联设置的移位寄存器电路中，至少在每间隔预设个数的移位寄存器单元上设置一个所述触控降噪电路；其中，所述移位寄存器电路被配置向显示面板输出栅极扫描信号，所述移位寄存器电路包括输入电路和输出电路，所述输出电路被配置为响应于上拉节点的信号将时钟控制信号输入至本级输出端；所述触控降噪电路被配置为响应于触控降噪信号将所述时钟信号输入至所述本级输出端。保证产品坑后行充电率与正常显示行一致问题，从根本上解决了坑纹问题，规避了后续产品信赖性易发不良风险，保证产品显示品质。

技术领域

本申请一般涉及显示技术领域，具体涉及一种栅极驱动电路、驱动方法。

背景技术

TDDI产品(Touch and display Driver Integration)作为新一代显示触控技术，具有一流的电容式触控技能，更轻薄的外观和更低的成本优势，目前在手机/TPC上广泛应用，后续也会向重大尺寸逐步普及。现在TDDI产品倾向于追求更高的分辨率，更高的刷新率，以及更灵敏的触控效果，尤其是高端产品还会需求支持主动笔,这对产品充电率设计提出了更高的要求。

目前TDDI产品Touch(触控)时间采用long H和Long V两种。Long V模式是在一帧的Blanking区去做Touch动作，不影响显示，但触控效果偏差。Long H模式是将Touch时间等间距分配到Display中间(如附图1)，与Display在时间上交错进行，它可以实现更高的触控频率，还可以支持主动笔，因此目前大多数高端TDDI产品均采用Long H模式。

针对Long H模式TDDI+GOA产品，上述产品目标需求的关键核心在于产品充电率的保证，尤其是Touch坑后行的充电率受拉高保持阶段漏电影响，对应输出端波形失真，造成该像素行充电率不足，会与其它显示行存在灰阶差异，从而引起等间距横纹(坑纹)不良。

研究表明，越高的分辨率刷新率，像素充电时间越少，越好的触控效果，往往会需求更多的Touch时间，势必会进一步压缩显示阶段每一行的充电时间，但Touch时间越长，拉高电平保持的时间越长，漏电就越多，输出端的波形衰减失真，像素充电时间不足，不良更为凸显。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种栅极驱动电路、驱动方法，可以增加像素充电时间，减少不良现象的发生，提高产品良率。

第一方面，本申请提供了一种栅极驱动电路，包括多个级联设置的移位寄存器电路及设置在所述移位寄存器电路上的触控降噪电路，

在所述多个级联设置的移位寄存器电路中，至少在每间隔预设个数的移位寄存器单元上设置一个所述触控降噪电路；其中，

所述移位寄存器电路被配置向显示面板输出栅极扫描信号，所述移位寄存器电路包括输入电路和输出电路，所述输出电路被配置为响应于上拉节点的信号将时钟控制信号输入至本级输出端；

所述触控降噪电路被配置为响应于触控降噪信号将所述时钟信号输入至所述本级输出端。

可选地，一帧画面时间内被划分为多个显示阶段和多个触控阶段，所述触控阶段被间隔设置在相邻两显示阶段之间；在对应一个所述显示阶段中，所述触控降噪电路的数量为p个，p为正整数，所述触控降噪电路所在的移位寄存器电路被配置为执行所述显示阶段中时序在前的p个电路。

可选地，所述触控降噪电路包括：

第一晶体管，所述第一晶体管的控制端连接所述触控降噪信号，所述第一晶体管的第一端连接所述时钟控制信号，所述第一晶体管的第二端连接所述本级输出端。

可选地，所述输入电路的一端与本级输入信号连接，所述输入电路的另一端与所述上拉节点连接，所述输入电路被配置为响应于所述本级输入信号将所述本级输入信号输入至所述上拉节点。