[发明专利]用于宽带信号的光电检测器

权利要求书

1.一种结构，包括：

第一光电检测器；

与所述第一光电检测器相邻的第二光电检测器；

位于所述第一光电检测器下方的第一尺寸的第一气隙，其被构造为检测第一波长的光；以及

位于所述第二光电检测器下方的第二尺寸的第二气隙，其被构造为检测第二波长的光。

2.根据权利要求1所述的结构，其中所述第一尺寸和所述第二尺寸包括不同的尺度。

3.根据权利要求1所述的结构，其中所述第一尺寸和所述第二尺寸包括在底部处不同的曲率。

4.根据权利要求1所述的结构，还包括连接到所述第一气隙的第一尺寸的第一沟槽和连接到所述第二气隙的第二尺寸的第二沟槽。

5.根据权利要求4所述的结构，其中更深或更宽的第一沟槽延伸到具有比所述第二气隙尺寸更大的所述第一气隙，并且更浅或更窄的第二沟槽延伸到比所述第一气隙尺寸更小的第二气隙。

6.根据权利要求1的结构，其中所述第一气隙和所述第二气隙位于衬底的P掺杂区中，本征半导体材料位于所述第一光电检测器和所述第二光电检测器之上，并且N掺杂半导体材料位于所述本征半导体材料之上。

7.根据权利要求6所述的结构，还包括延伸到不同光电检测器的所述本征半导体材料和所述N掺杂半导体材料的浅沟槽隔离结构。

8.根据权利要求7所述的结构，还包括：连接到所述第一光电检测器的所述N掺杂半导体材料的第一接触；连接到所述第二光电检测器的所述N掺杂半导体材料的第二接触；以及电连接到所述衬底的所述P掺杂区的第三接触。

9.根据权利要求1所述的结构，其中所述第一光电检测器和所述第二光电检测器各自包括位于延伸到所述第一气隙和所述第二气隙的相应沟槽中的外延半导体材料插塞。

10.根据权利要求1所述的结构，其中所述第一光电检测器和所述第二光电检测器包括密封所述第一气隙和所述第二气隙的Ge材料。

11.根据权利要求1所述的结构，其中所述第一光电检测器和所述第二光电检测器包括密封所述第一气隙和所述第二气隙的SiGe材料。

12.一种结构，包括：

第一光电检测器，其包括第一尺寸的第一气隙结构和密封所述第一气隙结构的外延材料；

第二光电检测器，其包括第二尺寸的第二气隙结构和密封所述第二气隙结构的所述外延材料；以及

浅沟槽隔离结构，其使所述第一光电检测器与所述第二光电检测器隔离。

13.根据权利要求12所述的结构，其中

所述第一光电检测器还包括：

位于密封所述第一气隙结构的所述外延材料之上的本征半导体材料；以及

位于所述本征半导体材料上方的n掺杂半导体材料；并且

所述第二光电检测器还包括：

位于密封所述第二气隙结构的所述外延材料之上的所述本征半导体材料；以及

位于所述本征半导体材料上方的所述n掺杂半导体材料。

14.根据权利要求12所述的结构，其中所述第一尺寸和所述第二尺寸包括不同的尺度。

15.根据权利要求12所述的结构，还包括连接到所述第一气隙结构的第一尺寸的第一沟槽和连接到所述第二气隙结构的第二尺寸的第二沟槽。

16.根据权利要求15所述的结构，其中所述第一沟槽比所述第二沟槽更深或更宽。

17.根据权利要求15所述的结构，其中所述外延材料塞住所述第一沟槽和所述第二沟槽以密封所述第一气隙结构和所述第二气隙结构。