[发明专利]一种宽带低噪声放大器、芯片及射频接收机

权利要求书

1.一种宽带低噪声放大器，其特征在于，包括第一级放大电路和第二级放大电路；

所述第一级放大电路采用共源共栅结构，包括第一晶体管和第二晶体管；

在所述第一级放大电路的输入端设置∏型输入匹配结构，所述∏型输入匹配结构由第一电容、第一电感和第一晶体管的寄生电容构成；

所述第一级放大电路还设置了电阻反馈结构，所述电阻反馈结构包括第一电阻，所述第一电阻的一端连接至所述第一晶体管的栅极，所述第一电阻的另一端连接至所述第一级放大电路的输出端；

所述第二晶体管的栅极通过第二电感连接电源电压；

所述第二级放大电路采用共源共栅结构，包括第三晶体管和第四晶体管。

2.根据权利要求1所述的一种宽带低噪声放大器，其特征在于，所述第一电容的一端与所述第一级放大电路的输入端连接，所述第一电容的另一端接地，所述第一电感的一端与所述第一级放大电路的输入端连接，所述第一电感的另一端与所述第一晶体管的栅极连接。

3.根据权利要求1所述的一种宽带低噪声放大器，其特征在于，所述第一级放大电路还包括第五电感和第六电感；

所述第二晶体管的漏极与所述第五电感的一端连接，所述第五电感的另一端作为所述第一级放大电路的输出端，所述第六电感的一端与所述第一级放大电路的输出端连接，所述第六电感的另一端连接至电源电压；

所述第五电感用于中和所述第二晶体管漏极的寄生电容。

4.根据权利要求3所述的一种宽带低噪声放大器，其特征在于，所述第二级放大电路还包括第八电感；

所述第八电感的一端连接至所述第一级放大电路的输出端，所述第八电感的一端连接至所述第四晶体管的栅极；

所述第五电感、所述第六电感和所述第八电感构成T型匹配网络。

5.根据权利要求4所述的一种宽带低噪声放大器，其特征在于，所述第二级放大电路还包括第二电阻、第三电阻、第七电感、第九电感和第十二电感；

所述第二电阻的一端与所述第四晶体管的栅极连接，所述第二电阻的另一端与所述第二级放大电路的输出端连接，所述第七电感的一端连接至电源电压，所述第七电感的另一端连接至所述第二级放大电路的输出端，所述第九电感的一端与所述第三晶体管的栅极连接，所述第九电感的另一端与所述第三电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端与所述第三晶体管的漏极连接，所述第十二电感的一端与所述第三晶体管的漏极连接，所述第十二电感的另一端作为所述第二级放大电路的输出端。

6.根据权利要求1所述的一种宽带低噪声放大器，其特征在于，所述第一级放大电路还包括第三电感，所述第二级放大电路还包括第十电感；

所述第一晶体管的源极通过所述第三电感接地，所述第四晶体管的源极通过所述第十电感接地。

7.根据权利要求1所述的一种宽带低噪声放大器，其特征在于，所述第一级放大电路还包括第四电感，所述第二级放大电路还包括第十一电感；

所述第四电感连接在所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的源极之间，所述第十一电感连接在所述第四晶体管的漏极和所述第三晶体管的源极之间。

8.一种芯片，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述的一种宽带低噪声放大器。

9.一种射频接收机，其特征在于，包括如权利要求8所述的一种芯片。