[发明专利]快闪存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种快闪存储器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上具有沟槽和位于所述沟槽底部的源区；

源线层，位于所述沟槽内中且向上延伸；

金属浮栅结构，包括多晶硅层及两个金属浮栅层，两个所述金属浮栅层均位于所述沟槽内且分别位于所述源线层的两侧，且所述金属浮栅层的高度大于所述源线层的高度，所述多晶硅层包裹所述金属浮栅层高于所述源线层的部分的至少部分外表面；

两个字线层，分别位于一个所述金属浮栅的外侧。

2.如权利要求1所述的快闪存储器，其特征在于，所述金属浮栅层高于所述源线层的部分的外侧壁上包裹有所述多晶硅层。

3.如权利要求1所述的快闪存储器，其特征在于，所述沟槽的深度为

4.如权利要求1所述的快闪存储器，其特征在于，所述金属浮栅层的厚度为和/或，所述金属浮栅层的材料为氮化钛。

5.如权利要求1所述的快闪存储器，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为

6.一种闪存储器的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底内具有沟槽和位于所述沟槽底部的源区；

在所述沟槽中形成源线层及金属浮栅结构，所述源线层位于所述沟槽内中且向上延伸，所述金属浮栅结构包括多晶硅层及两个金属浮栅层，两个所述金属浮栅层均位于所述沟槽内且分别位于所述源线层的两侧，且所述金属浮栅层的高度大于所述源线层的高度，所述多晶硅层包裹所述金属浮栅层高于所述源线层的部分的至少部分外表面；

在所述衬底上形成两个字线层，两个所述字线层分别位于一个所述金属浮栅的外侧。

7.如权利要求6所述的快闪存储器的制备方法，其特征在于，形成所述源线层及所述金属浮栅结构之前，还包括：

在所述衬底上形成字线多晶硅层及掩模层，刻蚀所述掩模层及所述字线多晶硅层以形成贯穿的第一开口；

在所述第一开口的侧壁上形成侧墙；

以所述侧墙为掩模，沿所述第一开口向下刻蚀部分深度的所述衬底，以形成所述沟槽；

对所述沟槽底部的所述衬底进行离子注入，以形成所述源区。

8.如权利要求7所述的快闪存储器的制备方法，其特征在于，形成所述源线层及所述金属浮栅结构的步骤包括：

在所述第一开口中形成所述金属浮栅层，所述金属浮栅层覆盖所述侧墙；

在所述第一开口的部分深度中填充形成所述源线层；

在所述第一开口的剩余深度中填充形成第一介质层，刻蚀以去除所述第一介质层及所述侧墙的部分高度，以使所述金属浮栅层高于所述源线层的部分的至少部分外表面露出；

在所述金属浮栅层高于所述源线层的部分的至少部分外表面上形成所述多晶硅层。

9.如权利要求8所述的快闪存储器的制备方法，其特征在于，在所述金属浮栅层高于所述源线层的部分的至少部分外表面上形成所述多晶硅层的步骤包括：

顺形地在所述衬底上依次形成所述多晶硅材料层及第二介质层；

刻蚀以去除所述掩模层、所述侧墙、所述第一介质层以及所述金属浮栅层的顶部的所述多晶硅材料层及所述第二介质层，所述金属浮栅层的外侧壁上保留的所述多晶硅材料层构成所述多晶硅层。

10.如权利要求8所述的快闪存储器的制备方法，其特征在于，形成所述源线层及所述金属浮栅结构之后，还包括：

顺形地在所述衬底上依次形成第三介质层及擦除栅层；

刻蚀以去除所述掩模层正上方的第三介质层及擦除栅层，形成第二开口；

去除所述掩模层；

沿所述第二开口向下刻蚀所述字线多晶硅层，剩余的所述字线多晶硅层形成所述字线层。