[发明专利]多层陶瓷电子组件在审

专利信息
申请号: 202111430296.7 申请日: 2021-11-29
公开(公告)号: CN114974889A 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 白承仁;田喜善;朴宰成;金亨旭 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H01G4/12 分类号: H01G4/12;H01G4/30
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 包国菊;薛丞丞
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 多层 陶瓷 电子 组件
【说明书】:

本公开提供一种多层陶瓷电子组件。所述多层陶瓷电子组件包括:陶瓷主体,包括介电层以及第一内电极和第二内电极,所述第一内电极和所述第二内电极交替地堆叠,且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间,所述介电层具有由(Ba1‑xCax)(Ti1‑y(Zr,Sn,Hf)y)O3(其中,0≤x≤1,0≤y≤0.5)表示的主成分,并且具有多个晶粒和设置在所述多个晶粒之间的晶界;第一外电极;以及第二外电极,其中,所述介电层包括与三个晶界接触的三相点和设置在所述三相点处的Si的第二相,其中,所述介电层和所述内电极之间的界面处的Si含量的分布可以为1重量%或更少。

本申请要求于2021年2月24日向韩国知识产权局提交的第10-2021-0024911号韩国专利申请的优先权的权益,所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种多层陶瓷电子组件。

背景技术

近年来,随着电子产品的小型化趋势,多层陶瓷电子组件也需要小型化和具有高电容。多层陶瓷电子组件的介电片也变得更薄,以满足多层陶瓷电子组件中的对小型化和高电容的需求。

同时,已知电子组件的耐压特性受到组件内部微观结构的极大影响。随着介电片变得更薄,介电层的晶粒尺寸和成分分布受到影响,并且多层陶瓷电子组件的耐压特性和可靠性特性劣化。通常,由于电子组件的晶粒之间的晶界具有高电阻成分,因此已经进行了研究以通过增加介电层内部的晶界的比来提供具有高可靠性的电子组件。

然而,由于电子组件的超小型化/超高电容导致的介电层变薄,仍然存在诸如产品可靠性、高温高压特性和绝缘电阻特性劣化的问题。

发明内容

本公开的一方面在于提供一种具有优异的高温和高压特性的多层陶瓷电子组件。

本公开的一方面在于提供一种能够控制第二相同时介电层的微观结构具有优异均匀性的多层陶瓷电子组件。

本公开的各种目的之一在于改善多层陶瓷电子组件的绝缘电阻特性。

本公开的一方面在于提供一种具有改善的可靠性的多层陶瓷电子组件。

根据本公开的一方面,一种多层陶瓷电子组件包括:陶瓷主体,包括介电层以及第一内电极和第二内电极,所述第一内电极和所述第二内电极交替地堆叠,且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间,所述介电层具有由(Ba1-xCax)(Ti1-y(Zr,Sn,Hf)y)O3(其中,0≤x≤1,0≤y≤0.5)表示的主成分,并且具有多个晶粒和设置在所述多个晶粒之间的晶界;第一外电极,连接到所述第一内电极;以及第二外电极,连接到所述第二内电极,其中,所述介电层包括设置成与三个晶界接触的三相点和设置在所述三相点处的Si的第二相,其中,所述介电层与所述内电极之间的界面处的Si含量的分布可以为1重量%或更少。

根据本公开的另一方面,一种多层陶瓷电子组件包括:陶瓷主体,包括介电层以及第一内电极和第二内电极,所述第一内电极和所述第二内电极交替地堆叠,且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间,所述介电层包括主成分和多个晶粒,所述多个晶粒之间设置有晶界,其中,所述介电层包括设置成与三个晶界接触的三相点和设置在所述三相点处的Si的第二相,其中,所述介电层与所述内电极之间的界面处的Si含量的分布为1重量%或更少。

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