[发明专利]一种基于柔性衬底的垂直二极管的气体传感器的制备方法在审

专利信息
申请号: 202111427545.7 申请日: 2021-11-29
公开(公告)号: CN114094015A 公开(公告)日: 2022-02-25
发明(设计)人: 王丽娟;张益群;朱阳阳;王晨雪;韩迪;苏和平 申请(专利权)人: 长春工业大学
主分类号: H01L51/40 分类号: H01L51/40;H01L51/05;H01L51/30
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 130012 吉林*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 柔性 衬底 垂直 二极管 气体 传感器 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种基于柔性衬底的垂直二极管的气体传感器的制备方法,其特征在于,器件结构包括:柔性衬底PEN(1),氧化铟锡阳极(2),p-6P异质层(3),α-6T异质层(4),ZnPc(5),金属银阴极(6)。

2.根据权利要求1所述的一种基于柔性衬底的垂直二极管的气体传感器的制备方法,其特征在于,柔性衬底(1)采用聚乙烯奈树脂(PEN)。

3.根据权利要求1所述的一种基于柔性衬底的垂直二极管的气体传感器的制备方法,其特征在于,采用真空溅射氧化铟锡阳极(2)和真空蒸镀金属银阴极,厚度为150-200 nm之间。

4.根据权利要求1所述的一种基于柔性衬底的垂直二极管的气体传感器的制备方法,其特征在于,p-6P异质层(3)真空匀速蒸镀,蒸速为0.2 nm/min,衬底温度为90 ℃,厚度为5nm。

5.根据权利要求1所述的一种基于柔性衬底的垂直二极管的气体传感器的制备方法,其特征在于,p-6P异质层(3)真空匀速蒸镀,蒸速为0.2 nm/min,衬底温度为90 ℃,厚度为5nm。

6.根据权利要求1所述的一种基于柔性衬底的垂直二极管的气体传感器的制备方法,其特征在于,采用真空沉积ZnPc(5)使其在p-6P异质层(3)和α-6T异质层(4)上诱导取向生长形成圆柱形纳米晶体结构,衬底温度为120 ℃,厚度为30 nm。

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