[发明专利]一种拉晶装置在审

专利信息
申请号: 202111425047.9 申请日: 2021-11-27
公开(公告)号: CN114086242A 公开(公告)日: 2022-02-25
发明(设计)人: 陈建民;赵丽萍;张文涛;惠小青;蔡水占;钱俊有;张建中;任保国;韩笑;冯玉杰;王军霞 申请(专利权)人: 河南鸿昌电子有限公司
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B30/02;C30B30/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 461500 河南省许昌*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 装置
【说明书】:

发明涉及晶粒生产设备技术领域,名称是一种拉晶装置,包括拉晶炉,所述的拉晶炉具有炉腔,还有放置在炉腔中的拉晶管,所述的拉晶炉上具有磁极或电场,所述的炉腔就在磁场或电场中,它还包括有引子,所述的引子包括设置在拉晶管中的金属丝;所述的金属丝是多根的,多根金属丝相互平行设置;所述的金属丝的长度方向平行或垂直拉晶管长度方向;所述的金属丝端部是在拉晶管上的。这样的拉晶装置能够生产出质地更加均匀、拉晶效果更好、品质更加优良的晶棒。

技术领域

本发明涉及晶粒生产设备技术领域,特别是涉及拉晶设备。

背景技术

晶粒是半导体制冷件生产过程中需要用到的重要材料,它是由晶棒切割而成的,所述的晶粒(晶棒)是由排列整齐的分子组成的,所述晶棒是在拉晶装置中进行的,所述的拉晶装置包括拉晶炉,所述的拉晶炉具有炉腔,还有放置在炉腔中的拉晶管,所述的拉晶炉上具有磁极或电场,所述的炉腔就在磁场或电场中,拉晶时,先把粉末状的原料(半导体原料)放置在拉晶管中,拉晶管放置在拉晶炉中,原料在拉晶管中熔融、分子重新排列、凝固形成晶棒,这个过程就是拉晶,将晶棒切割就变成了小块的晶粒,小块的晶粒就能用来制造半导体制冷件,所以拉晶的过程关系到晶棒分子的排列,分子排列整齐有利于致冷件的质量效率和其他产品质量。

现有技术中,所述的拉晶管中没有帮助原料排列的引子,致使拉晶速度慢,拉晶效果较差。

发明内容

本发明的目的就是针对上述缺点,提供一种拉晶速度块,拉晶效果好的拉晶装置。

本发明的技术方案是这样实现的,一种拉晶装置,包括拉晶炉,所述的拉晶炉具有炉腔,还有放置在炉腔中的拉晶管,所述的拉晶炉上具有磁极或电场,所述的炉腔就在磁场或电场中,其特征是:它还包括有引子,所述的引子包括设置在拉晶管中的金属丝。

进一步地讲,所述的金属丝是多根的,多根金属丝相互平行设置。

进一步地讲,所述的金属丝的长度方向平行或垂直拉晶管长度方向。

进一步地讲,所述的金属丝端部是在拉晶管上的。

进一步地讲,所述的金属丝是在一个浮球上的,所述的浮球是空芯的金属球。

进一步地讲,所述的金属丝是镍丝、钢丝、钼丝、金丝、银丝、铁丝等。

进一步地讲,所述的金属线下端还连接在下坠件上。

进一步地讲,所述的上浮球周围是配合拉晶管内部截面的结构。

进一步地讲,所述的下坠件周围是配合拉晶管底部的结构。

较好的,所述的金属丝是铁钴镍或其合金。

进一步地讲,所述的金属丝的截面是方形或圆形的结构。

进一步地讲,所述的金属丝的截面面积是0.2—0.5平方毫米。

本发明的有益效果是:这样的拉晶装置能够生产出质地更加均匀、拉晶效果更好、品质更加优良的晶棒。

附图说明

图1是本发明第一种情况的纵剖面结构示意图。

图2是本发明第二种情况的纵剖面结构示意图。

图3是本发明第三种情况的纵剖面结构示意图。

图4是图1、图3中的A—A截面结构示意图。

图5是图2中的A—A截面结构示意图。

图6是一种金属丝的截面示意图。

其中: 1、拉晶炉 11、炉腔 2、拉晶管 3、金属丝 4、浮球 5、坠件。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步的说明。

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