[发明专利]一种低功耗星载固态功率放大器控制电路在审

专利信息
申请号: 202111421778.6 申请日: 2021-11-26
公开(公告)号: CN114257180A 公开(公告)日: 2022-03-29
发明(设计)人: 杨光;潘虹臣;曾正华;张乾;黄君涛;姜博文;陈伟波;郭峥 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
主分类号: H03F1/02 分类号: H03F1/02;H03F3/193;H03F3/21
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 罗强
地址: 610036 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 功耗 固态 功率放大器 控制电路
【权利要求书】:

1.一种低功耗星载固态功率放大器控制电路,其特征在于,包括管理控制单元、漏极电压控制电路以及微波功率管;

管理控制单元,用于产生低功耗控制信号,输入至漏极电压控制电路;

漏极电压控制电路,设置在微波功率管漏极与电源之间,同时接收管理控制单元的控制信号,通过控制信号完成对微波功率管漏极电压的通断控制。

2.根据权利要求1所述的低功耗星载固态功率放大器控制电路,其特征在于,所述漏极电压控制电路包括滤波电容C1,电阻R1、电阻R2、电阻R4、电阻R5,限流电阻R3,三极管V1,PMOS管V2;所述分压电阻R4的第一端与管理控制单元连接,接收控制信号,第二端接至三极管V1基极与电阻R5的第一端,电阻R5的第二端接地;三极管V1发射极接地,集电极接至电阻R2的第一端,电阻R2第二端分别与限流电阻R3的第一端、电阻R1的第一端以及滤波电容C1的第一端连接,限流电阻R3的第二端接至PMOS管V2的栅极,电阻R1的第一端、滤波电容C1的第二端分别与PMOS管V2的源极,PMOS管V2源极同时接至微波功率管漏极,PMOS管V2的漏极接至电源。

3.根据权利要求2所述的低功耗星载固态功率放大器控制电路,其特征在于,所述漏极电压控制电路还包括上拉电阻R6,所述上拉电阻R6第一端与电阻R4的第一端连接,另一端接+5V电压。

4.根据权利要求1-3任一项所述的低功耗星载固态功率放大器控制电路,其特征在于,所述低功耗控制信号为TTL信号。

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