[发明专利]KrF负性光刻胶及其制备方法、应用在审
| 申请号： | 202111417731.2 | 申请日： | 2021-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN113960881A | 公开（公告）日： | 2022-01-21 |
| 发明（设计）人： | 周元基 | 申请（专利权）人： | 潍坊星泰克微电子材料有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/038 | 分类号： | G03F7/038;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 张金铭 |
| 地址： | 261000 山东省潍坊市高新技术开*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | krf 光刻 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种KrF负性光刻胶，其特征在于，包括如下组分：
聚对羟基苯乙烯共聚物、酸性催化剂、光致去活剂以及任选的溶剂；
所述聚对羟基苯乙烯共聚物包括含保护基团的聚对羟基苯乙烯共聚物；
所述含保护基团的聚对羟基苯乙烯共聚物包括下列通式(1)代表的化合物和通式(2)代表的化合物中的至少一种：
其中，a：b＝(5～7)：(5～3)；
其中，m:n＝(5～7)：(5～3)；
所述光致去活剂包括阴离子引发剂。
2.根据权利要求1所述的KrF负性光刻胶，其特征在于，所述含保护基团的聚对羟基苯乙烯共聚物的分子量Mw为1000～20000。
3.根据权利要求1所述的KrF负性光刻胶，其特征在于，所述酸性催化剂为有机酸和无机酸中的至少一种；
优选地，所述有机酸包括甲酸、乙酸、丙酸、甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸以及对甲苯磺酸中的至少一种；
优选地，所述无机酸包括盐酸、硫酸、硝酸、磷酸以及氢氟酸中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的KrF负性光刻胶，其特征在于，所述阴离子引发剂包括邻甲苯氨基甲酸苄酯。
5.根据权利要求1所述的KrF负性光刻胶，其特征在于，所述溶剂包括丙二醇甲醚、丙二醇甲醚醋酸酯、醋酸乙酯以及乳酸乙酯中的至少一种。
6.根据权利要求1-5任一项所述的KrF负性光刻胶，其特征在于，所述KrF负性光刻胶包括按重量份数计的如下组分：
含保护基团的聚对羟基苯乙烯共聚物树脂10～60份、酸性催化剂0.2～5份、阴离子引发剂0.2～5份以及溶剂5～100份。
7.根据权利要求1-5任一项所述的KrF负性光刻胶，其特征在于，所述KrF负性光刻胶包括按重量份数计的如下组分：
含保护基团的聚对羟基苯乙烯共聚物树脂20份、酸性催化剂0.2份、邻甲苯氨基甲酸苄酯0.4～0.5份以及溶剂100份。
8.权利要求1-7任一项所述的KrF负性光刻胶的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
利用所述溶剂将各组分溶解，得到所述KrF负性光刻胶。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，溶解后还包括过滤：
优选地，所述过滤包括利用滤膜进行过滤；
优选地，所述滤膜的孔径为0.01-1微米。
10.权利要求1-7任一项所述的KrF负性光刻胶在集成电路制造中的应用。
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