[发明专利]一种体声波滤波器的提升带外抑制的方法及滤波器结构

说明书

本发明提出了一种体声波滤波器的提升带外抑制的方法及滤波器结构，所述提升带外抑制的方法包括：步骤1、在基体上设置声速缓冲层，并在所述声速缓冲层上设置压电层；步骤2、在所述压电层上设置M个叉指换能器，其中，M为大于3的奇数；所述M个叉指换能器中，每个叉指换能器的指条自身宽度和指条之间的间隙宽度相同，并且，每个叉指换能器的指条数组数为单数，并且每个叉指换能器的指条数为M‑2个；步骤3、调整所述M个叉指换能器的前后位置，使M个叉指换能器为非直线的上下交错式排列，通过调整M个叉指换能器的角度和位置减少相邻两个叉指换能器之间的回波反射。

技术领域

本发明提出了一种体声波滤波器的提升带外抑制的方法及滤波器结构，属于滤波器技术领域。

背景技术

单晶薄膜声表面波技术，是目前研究热门的声表面波技术，比如日本村田制作所的I.H.P.SAW（Incredible High-performance SAW，难以置信的高性能声表面波）滤波器，与传统单晶片声表面波滤波器相比，具有高品质（quality，简称Q）值、低的频率温度系数（Temperature Coefficient of Frequency，简称TCF）和高散热性等优势。当前单晶薄膜声表面波滤波器出现滤波器峰值高频段有较大信号的体波杂波信号出现，影响了单晶薄膜声表面波滤波器的应用。

发明内容

本发明提供了一种体声波滤波器的提升带外抑制的方法及滤波器结构，用以解决叉指换能器之间的回波反射的问题，所采取的技术方案如下：

一种体声波滤波器的提升带外抑制的方法，所述提升带外抑制的方法包括：

步骤1、在基体上设置声速缓冲层，并在所述声速缓冲层上设置压电层；

步骤2、在所述压电层上设置M个叉指换能器，其中，M为大于3的奇数；所述M个叉指换能器中，每个叉指换能器的指条自身宽度和指条之间的间隙宽度相同，并且，每个叉指换能器的指条数组数为单数，并且每个叉指换能器的指条数为M-2个；

步骤3、调整所述M个叉指换能器的前后位置，使M个叉指换能器为非直线的上下交错式排列，通过调整M个叉指换能器的角度和位置减少相邻两个叉指换能器之间的回波反射。

进一步地，步骤所述在所述压电层上设置M个叉指换能器，包括：

步骤201、在所述压电层上按照直线顺序标记叉指换能器安装的基准位置范围和安装数量；

步骤202、在所述基准位置范围的基础上设置叉指换能器安装的安装预留范围区域，其中，所述预留范围区域的面积为1.3—1.5倍的基准位置范围对应的面积；

所述基准位置范围用于标记指示出M个叉指换能器的安装和位置；所述预留范围区域用于标记出M个叉指换能器安装位置的调整范围。

进一步地，步骤3所述调整所述M个叉指换能器的前后位置，使M个叉指换能器为非直线的上下交错式排列，包括：

步骤301、获取当前M个叉指换能器的安装位置；

步骤302、获取M个叉指换能器中，每个叉指换能器的指条宽度；

步骤303、根据每个叉指换能器的指条宽度，设置每个相邻两个叉指换能器之间的间距；

步骤304、根据每个叉指换能器的指条宽度和每个相邻两个叉指换能器之间的间距，设置每相邻两个叉指换能器之间上下交错尺寸。

进一步地，所述相邻两个叉指换能器之间的间距通过如下公式获取：