[发明专利]一种Embedded Flash误写保护方法

说明书

本发明公开了一种Embedded Flash误写保护方法，所述方法步骤包括：Embedded Flash控制器收到写操作指令后，缓存所述写操作的地址和数据，并读取所述地址的数据；判断读取的数据是否为32’hFFFF_FFFF，如果是，则全区域能够执行写操作；如果不是，则进一步判断对word中的每一个byte的值是否有8’hFF；如果值有8’hFF，则所述word能够执行写操作；如果值没有8’hFF，则整个word不能执行写操作，本发明提高了Embedded Flash误写保护的保护范围，实现了对Flash全区域的误写保护，保护颗粒度小，减少误写概率。

技术领域

本发明涉及一种Flash控制器以及存储管理技术技术领域，具体为一种EmbeddedFlash误写保护方法。

背景技术

Embedded Flash作为代码和数据的存储单元，广泛应用各种MCU中，MCU 软件在运行过程中，如果发生对Embedded Flash区域的误写操作，将会导致存储在Embedded Flash内部的代码或者数据被窜改，最终可能会引起MCU 系统崩溃。

目前现有对Embedded Flash的误写保护方法，通过在Embedded Flash 地址空间范围内，需要划定一些区域，无法保护Flash全区域的误写操作，当误写保护功能使能后，后续软件在这些区域内写操作，将不会被执行，对于没有保护的区域，还是会产生误写，并且这种方法区域个数确定后，就不能增加保护区域，如果要增加判断区域需要对Flash控制器设计做改动，具有较大的局限性；

现有的方法一般划定的区域比实际代码区域大的话，会使一些不需要保护的地址空间也被保护了，使得Flash 的利用率降低；

同时现有方法保护颗粒度大小跟保护区域大小有关，如果保护颗粒度要按一个word,则保护区域只能设置成一个word地址空间，类似的区域大小就没有实际意义；

另外，Embedded Flash控制器读flash时，是按word操作，写program操作可以按byte颗粒度进行写，划定区域保护Embedded Flash的误写的方法保护的颗粒度为一个word（4bytes），误写操作导致整个word区域全部不能写操作，资源浪费且局限性大；

并且，误写操作会导致系统出现Bug，工作人员需要查找Bug原因，进行debug调试，步骤繁琐，浪费时间。

现有技术已经不能满足现阶段人们的需求，基于现状，急需对现有技术进行改革。

发明内容

本发明的目的在于提供一种Embedded Flash 误写保护方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

本发明提供如下技术方案一种Embedded Flash 误写保护方法，具体步骤包括：

Embedded Flash 控制器收到写操作指令后，缓存这个写操作的地址和数据，并针对这个地址发起对Flash的读操作，读取这个地址的数据。

根据读取的数据判断这个读数据是否为32’hFFFF_FFFF，先判断整个保护区域；

如果是32’hFFFF_FFFF，则这个地址没有被写过，整个保护区域都可以写操作；

如果不是32’hFFFF_FFFF，则这个地址之前已经被写过，区域内的word不可以全部写操作；则Embedded Flash控制器发送中断将误写操作通知CPU, 并产生AHB bus errorresponse（AHB总线错误响应），并记录word的误写信息，误写信息包括：写地址，写数据以及读数据；

当读数据不是32’hFFFF_FFFF时，Embedded Flash控制器继续判断读数据word中的每一个byte的值是否有8’hFF，进一步判断word中的写操作；则分为两种情况：