[发明专利]一种Y-Gd基合金及包括该基合金的钕铈铁硼磁体与制备方法

权利要求书

1.一种钕铈铁硼磁体，其特征在于，包括Y-Gd基合金，所述Y-Gd基合金组分的原子百分比含量为：Y：5-30%，Cu：5-25%，Al：5-25%，其余为Gd和不可避免的杂质；

所述钕铈铁硼磁体的制备方法为：采用Y-Gd基合金晶界改性技术制备钕铈铁硼磁体，

所述晶界改性技术为晶界扩散或晶界添加；

所述晶界扩散为：

步骤S11：将钕铈铁硼磁体切割成所需尺寸，然后进行打磨、抛光；

步骤S22：将熔铸制得的Y-Gd基合金切割成薄片；

步骤S33：将熔铸的Y-Gd基合金薄片或快淬的Y-Gd基合金粉置于抛光的钕铈铁硼磁体表面；

步骤S44：将步骤S33制得的磁体置于真空热处理炉中进行扩散热处理，使Y-Gd基合金晶界扩散入磁体中，最终制得高性能热稳定钕铈铁硼磁体；

所述晶界添加为：

步骤S11）：将钕铈铁硼磁粉与快淬的Y-Gd基合金粉按照比例均匀混合，或者将钕铁硼磁粉、铈铁硼磁粉与快淬的Y-Gd基合金粉按比例均匀混合；

步骤S22）：将步骤S11）制得的混合粉在1.2-2.0T的磁场中压制成型坯件，或者将步骤S11）制得的混合粉装入热压炉模具中热压制成热压磁体；

步骤S33）：将型坯件在真空或氩气保护气氛下分别进行烧结和两级回火，制得晶界改性的烧结钕铈铁硼磁体，或者将热压磁体置于热变形模具中进行热变形处理，制得晶界改性的热变形钕铈铁硼磁体。

2.根据权利要求1所述的钕铈铁硼磁体，其特征在于，所述Y-Gd基合金由熔铸工艺制备或快淬工艺制备；

所述熔铸工艺制备包括以下步骤：

步骤S1：按照Y-Gd基合金成分配比配制原材料；

步骤S2：将配制的原材料在真空熔炼炉中进行反复熔炼，并铸造成块体合金；

所述快淬工艺制备包括以下步骤：

步骤S1）：按照Y-Gd基合金成分配比配制原材料；

步骤S2）：将配制的原材料在真空熔炼炉中进行反复熔炼，并铸造成块体合金；

步骤S3）：将块体合金在真空快淬炉中进行快淬，制成快淬带材；

步骤S4）：快淬带材进行研磨或球磨制成Y-Gd基合金粉。

3.根据权利要求2所述的钕铈铁硼磁体，其特征在于，所述反复熔炼的次数不小于3次，快淬速度为10-50m/s。

4.一种根据权利要求1所述钕铈铁硼磁体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

采用Y-Gd基合金晶界改性技术制备钕铈铁硼磁体，所述晶界改性技术为晶界扩散或晶界添加。

5.根据权利要求4所述的钕铈铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述晶界改性技术为晶界扩散；所述晶界扩散的具体步骤为：

步骤S11：将钕铈铁硼磁体切割成所需尺寸，然后进行打磨、抛光；

步骤S22：将熔铸制得的Y-Gd基合金切割成薄片；

步骤S33：将熔铸的Y-Gd基合金薄片或快淬的Y-Gd基合金粉置于抛光的钕铈铁硼磁体表面；

步骤S44：将步骤S33制得的磁体置于真空热处理炉中进行扩散热处理，使Y-Gd基合金晶界扩散入磁体中，最终制得高性能热稳定钕铈铁硼磁体。

6.根据权利要求5所述的钕铈铁硼磁体的制备方法，其特征在于，钕铈铁硼磁体为单主相烧结磁体或热变形磁体。

7.根据权利要求5所述的钕铈铁硼磁体的制备方法，其特征在于，钕铈铁硼磁体为多主相烧结磁体或热变形磁体。

8.根据权利要求7所述的钕铈铁硼磁体的制备方法，其特征在于，烧结钕铈铁硼磁体的扩散热处理工艺为扩散温度850-950℃，时间2-10h；热变形钕铈铁硼磁体的扩散热处理工艺为扩散温度550-750℃，时间2-4h。