[发明专利]一种抑制轻质高强TiAl合金片层粗化的方法有效
| 申请号: | 202111410800.7 | 申请日: | 2021-11-25 |
| 公开(公告)号: | CN114150242B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
| 发明(设计)人: | 许昊;陈光;祁志祥;郑功;李沛;陈旸 | 申请(专利权)人: | 南京理工大学 |
| 主分类号: | C22F1/18 | 分类号: | C22F1/18;C22C1/02;C22B9/16;B21J5/00;C22C14/00 |
| 代理公司: | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人: | 邹伟红 |
| 地址: | 210094 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 抑制 高强 tial 合金 片层粗化 方法 | ||
1.一种抑制轻质高强TiAl合金片层粗化的方法,其特征在于,该TiAl合金成分按原子百分比计为Ti-(40~45)Al-(3~8)Mn,依次包括:配料、真空感应熔炼法制备感应铸锭、真空自耗熔炼法制备合金铸锭、高温锻压、固溶时效热处理;
其中,固溶时效热处理参数为:1300℃-30min-AC+800℃-3h/6h/12h/24h-FC,AC表示空冷,FC表示炉冷;真空感应熔炼功率100kW;真空自耗熔炼功率80kW;
高温锻压工序中的变形温度在(β+α)两相区,变形道次为3次,每道次变形量23%,总变形量70%,冷却方式为空冷;变形温度为1300±10℃;
高温锻压工序所得TiAl合金锻件组织特征为:细小的黑色γ晶粒弥散分布在等轴状α2/γ片层和白色β0相之间,其中,γ相和α2相平行排列,交替生长,形成α2/γ片层,其中γ尺寸≈5μm,α2/γ尺寸≈40μm,α2/γ片层间距≈189nm。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,配料时各合金组元纯度大于99.9%。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,真空感应熔炼1遍。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,真空自耗熔炼1遍。
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