[发明专利]半导体器件及其制备方法、三维存储器及存储系统

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底中形成有间隔设置的高压阱区和低压阱区；

形成第一栅极氧化层和第二栅极氧化层于所述衬底上，且所述第一栅极氧化层对应所述高压阱区，所述第二栅极氧化层对应所述低压阱区；

分别形成第一栅极和第二栅极于所述第一栅极氧化层和所述第二栅极氧化层上；

分别形成第一介质部和第二介质部于所述第一栅极远离所述第一栅极氧化层的表面和所述第二栅极远离所述第二栅极氧化层的表面；

形成所述第一开孔和所述第二开孔于所述第一栅极氧化层中、形成第三开孔于所述第一介质部中以及形成第四开孔于所述第二介质部中，且所述第一开孔与所述第二开孔分别位于所述第一栅极的两侧；以及

形成金属接触层，所述金属接触层包括形成于所述第一开孔与所述第二开孔中的第一金属接触结构、形成于所述第三开孔中的第三金属接触结构以及形成于所述第四开孔中的第四金属接触结构。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述分别形成第一介质部和第二介质部于所述第一栅极远离所述第一栅极氧化层的表面和所述第二栅极远离所述第二栅极氧化层的表面的步骤，包括：

形成层叠的氧化层、氮化层覆盖于所述衬底、所述第一栅极以及所述第二栅极上；

对所述氧化层、所述氮化层进行处理，以形成位于所述第一栅极侧壁的第一侧墙和位于所述第一栅极远离所述第一栅极氧化层的表面的所述第一介质部，以及形成位于所述第二栅极侧壁的第二侧墙和位于所述第二栅极远离所述第二栅极氧化层的表面的所述第二介质部。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一侧墙与所述第二侧墙皆包括层叠的所述氧化层与所述氮化层。

4.根据权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一介质部与所述第二介质部皆只包括所述氧化层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一开孔与所述第二开孔的侧壁皆呈推拔状远离所述衬底。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述形成所述第一开孔和所述第二开孔于所述第一栅极氧化层中、形成第三开孔于所述第一介质部中以及形成第四开孔于所述第二介质部中包括：

去除部分所述第一介质部以及部分所述第二介质部，以形成所述第三开孔以及所述第四开孔。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述形成所述第一开孔和所述第二开孔于所述第一栅极氧化层中、形成第三开孔于所述第一介质部中以及形成第四开孔于所述第二介质部中包括：

去除全部所述第一介质部以及全部所述第二介质部，以形成所述第三开孔以及所述第四开孔。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述形成所述第一开孔和所述第二开孔于所述第一栅极氧化层中、形成第三开孔于所述第一介质部中以及形成第四开孔于所述第二介质部中的步骤之后，还包括：

对应所述第一开孔、所述第二开孔以及所述第二栅极两侧对所述衬底进行掺杂处理，以形成位于所述第一栅极两侧的第一掺杂区以及位于所述第二栅极两侧的第二掺杂区。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述形成金属接触层的步骤，包括：

形成金属层覆盖于所述衬底、所述第一栅极以及所述第二栅极上；

去除所述金属层以形成所述金属接触层，且所述金属接触层包括对应所述第一开孔与所述第二开孔形成于所述衬底中的所述第一金属接触结构、对应所述第二栅极两侧形成于所述衬底中的第二金属接触结构、对应所述第三开孔形成于所述第一栅极中的所述第三金属接触结构、以及对应所述第四开孔形成于所述第二栅极中的所述第四金属接触结构。