[发明专利]一种主动式热插拔输入保护电路

权利要求书

1.一种主动式热插拔输入保护电路，包括保护对象是低压电路的热插拔输入保护电路和保护对象是高压电路的热插拔输入保护电路，其特征在于：

保护对象是低压电路的热插拔输入保护电路包括低压静电保护模块ESD1、低压PMOS管LP、低压NMOS管LN、电阻R1和R2以及低压电容C1；低压静电保护模块ESD1的负端、电阻R1的一端、低压PMOS管LP的源极和衬底以及低压NMOS管LN的漏极和保护对象低压电路的电源端均连接输入电源VIN，低压静电保护模块ESD1的正端、低压电容C1的下极板、电阻R2的一端以及低压NMOS管LN的源极和衬底以及保护对象低压电路的接地端均接地，低压电容C1的上极板连接电阻R1的另一端和低压PMOS管LP的栅极，低压PMOS管LP的漏极连接电阻R2的另一端和低压NMOS管LN的栅极；

保护对象是高压电路的热插拔输入保护电路中，分别用高压静电保护模块ESD2、电阻R11、高压电容C2、电阻R21、高压PMOS管HP和高压NMOS管HN替换保护对象是低压电路的热插拔输入保护电路中的低压静电保护模块ESD1、电阻R1、低压电容C1、电阻R2、低压PMOS管LP和低压NMOS管LN，并增设钳位二极管ZD1和ZD2；高压静电保护模块ESD2的负端、电阻R11的一端、高压PMOS管HP的源极和衬底以及高压NMOS管HN的漏极和保护对象高压电路的电源端均连接输入电源VIN，高压静电保护模块ESD2的正端、高压电容C2的下极板、电阻R21的一端以及高压NMOS管HN的源极和衬底以及保护对象高压电路的接地端均接地，高压电容C2的上极板连接电阻R11的另一端和高压PMOS管HP的栅极，高压PMOS管HP的漏极连接电阻R21的另一端和高压NMOS管HN的栅极，钳位二极管ZD1的负端连接输入电源VIN，钳位二极管ZD1的正端连接高压PMOS管HP的栅极与电阻R11和高压电容C2的连接端，钳位二极管ZD2的正端接地，钳位二极管ZD2的负端连接高压NMOS管HN的栅极与电阻R21和高压PMOS管HP漏极的连接端。

2.根据权利要求1所述的主动式热插拔输入保护电路，其特征在于：保护对象是低压电路的热插拔输入保护电路中，根据芯片的防护和成本要求，设置延时时间t1在10us-200us之间，由t1=2πR1C1，确定电阻R1和电容C1的值，搭配低压NMOS管LN的导通电阻取值在10-100欧姆。

3.根据权利要求1所述的主动式热插拔输入保护电路，其特征在于：保护对象是高压电路的热插拔输入保护电路中，根据芯片的防护和成本要求，设置延时时间t2在10us-200us之间，由t2=2πR11C2，确定电阻R11和电容C2的值，搭配高压NMOS管HN的导通电阻取值在10-100欧姆。