[发明专利]一种低压腐蚀箔及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202111408713.8 | 申请日： | 2021-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN114059145B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 胡三元;罗向军;陈锦雄;汪启桥;江国东;闫小宇;吕根品;李洪伟 | 申请（专利权）人： | 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司;韶关东阳光科技研发有限公司 |
| 主分类号： | C25F3/04 | 分类号： | C25F3/04;C25F7/00;H01G9/045;H01G9/055 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 苏晶晶 |
| 地址： | 512700 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低压 腐蚀 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种低压腐蚀箔的制备方法，包括预处理、近场直写、布孔腐蚀、中处理、深度生长腐蚀、后处理和热处理步骤，其特征在于，所述近场直写步骤的具体操作为：将熔融态的非水溶性聚合物在铝箔两面进行对称直写处理，得到若干条平行或交叉线条组成的平面图案；
所述图案线条之间距离为20～200μm，图案线条宽度为0.5～1000μm；
所述近场直写的挤出速率为1～10mL/min；
所述近场直写在静电场中进行，静电场电压为1～2.0kV；
所述布孔腐蚀的操作为：将近场直写处理后的铝箔置于含有盐酸、硫酸和三氯化铝的腐蚀液中浸泡，同时施加电流进行电解腐蚀；
所述中处理的操作为：将布孔腐蚀后的铝箔置于含有磷酸氢盐和/或磷酸二氢盐水溶液中浸泡处理；
所述深度生长腐蚀的操作为：将中处理后的铝箔置于含有盐酸、硫酸和三氯化铝的腐蚀液中浸泡，同时施加电流进行电解腐蚀。
2.如权利要求1所述低压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，所述图案线条之间距离为20～100μm，图案线条宽度为5～1000μm。
3.如权利要求1所述低压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，所述近场直写的静电场电压为2.0kV，挤出速率为1mL/min，所述图案线条之间距离为20μm。
4.如权利要求1所述低压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，所述非水溶性聚合物为聚乙烯、乙烯-醋酸乙烯共聚物、聚丙烯和聚偏二氟乙烯中一种或多种。
5.如权利要求1所述低压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，所述铝箔的厚度为90～110μm。
6.一种权利要求1～5任一项所述低压腐蚀箔的制备方法制备的低压腐蚀箔。
7.一种权利要求6所述低压腐蚀箔在铝电解电容器中的应用。
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