[发明专利]氧化物荧光体、发光装置和氧化物荧光体的制造方法在审
申请号: | 202111408443.0 | 申请日: | 2021-11-24 |
公开(公告)号: | CN114574199A | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 村崎嘉典 | 申请(专利权)人: | 日亚化学工业株式会社 |
主分类号: | C09K11/66 | 分类号: | C09K11/66;H01L33/50 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 朱丹 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化物 荧光 发光 装置 制造 方法 | ||
1.一种氧化物荧光体,其具有以下组成:
包含:
选自Li、Na、K、Rb和Cs中的至少1种的第一元素M1;
选自Mg、Ca、Sr、Ba和Zn中的至少1种的第二元素M2;
选自B、Al、Ga、In和稀土类元素中的至少1种的第三元素M3;
选自Si、Ti、Ge、Zr、Sn、Hf和Pb中的至少1种的第四元素M4;以及
O和Cr,所述O为氧,
根据需要任选包含选自Eu、Ce、Tb、Pr、Nd、Sm、Yb、Ho、Er、Tm、Ni和Mn中的至少1种的第五元素M5,
在将所述氧化物荧光体的组成1摩尔中的所述第四元素M4的摩尔比设为5时,所述第一元素M1的摩尔比为0.7以上且1.3以下的范围内,所述第二元素M2的摩尔比为1.5以上且2.5以下的范围内,所述第三元素M3的摩尔比为0.7以上且1.3以下的范围内,所述O的摩尔比为12.9以上且15.1以下的范围内,所述Cr的摩尔比为0.2以下,
在荧光体的发光光谱中,在700nm以上且1050nm以下的范围内具有发光峰值波长。
2.根据权利要求1所述的氧化物荧光体,其中,所述氧化物荧光体具有由下述式(1)所示的组成式中所含的组成,
M1tM2uM3vM45Ow:Crx,M5y (1)
所述式(1)中,t、u、v、w、x和y满足0.7≤t≤1.3、1.5≤u≤2.5、0.7≤v≤1.3、12.9≤w≤15.1、0<x≤0.2、0≤y≤0.10、y<x。
3.根据权利要求1或2所述的氧化物荧光体,其中,所述第一元素M1为选自Li、Na、K和Rb中的至少1种元素,所述第二元素M2为选自Mg、Ca和Sr中的至少1种元素,所述第三元素M3为选自Sc、Al、Ga和In中的至少1种,所述第四元素M4必须包含Ge,任选包含选自Si、Ti、Zr、Sn、Hf和Pb中的至少1种元素,所述第五元素M5任选为选自Yb、Nd、Tm和Er中的至少1种。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的氧化物荧光体,其中,所述第四元素M4为Ge。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的氧化物荧光体,其中,所述氧化物荧光体中,具有所述发光峰值波长的发光光谱的半值宽度为100nm以上。
6.一种发光装置,其具备:权利要求1~5中任一项所述的氧化物荧光体;和在365nm以上且500nm以下的范围内具有发光峰值波长且照射所述氧化物荧光体的发光元件。
7.根据权利要求6所述的发光装置,其中,必须具备包含所述氧化物荧光体的第一荧光体,并且
具备选自以下荧光体中的至少1种:在各荧光体的发光光谱中,在455nm以上且小于495nm的范围内具有发光峰值波长的第二荧光体、在495nm以上且小于610nm的范围内具有发光峰值波长的第三荧光体、在610nm以上且小于700nm的范围内具有发光峰值波长的第四荧光体、以及在700nm以上且1050nm以下的范围内具有发光峰值波长的第五荧光体,
在所述发光装置的发光光谱中,具有如下的发光光谱:将所述发光元件的发光峰值波长以上且1050nm以下的范围内的发光强度的最大值设为100%,所述发光元件的发光峰值波长以上且1050nm以下的范围内的发光强度的最小值为10%以上的发光光谱。
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