[发明专利]一种绕镀多晶硅的清洗工艺

说明书

本发明公开了一种绕镀多晶硅的清洗工艺，包括以下步骤：获取存在绕镀多晶硅的硅片，采用氢氟酸溶液对硅片正面和边缘进行清洗，控制水膜流量为5mL/片～40mL/片，使得正面BSG层的减薄量为20nm～60nm，BSG层的保留厚度在40nm以上；在硅片正背面BSG层和PSG层的保护下去除硅片正面和边缘绕镀多晶硅，去除硅片正面BSG层和背面PSG层。本发明清洗工艺，既能够有效解决因多晶硅绕镀而导致的电池转换效率和良品率低的问题，又能释放LPCVD机台产能，使用价值高，应用前景好，对于降低TOPCon电池的生产成本，提升TOPCon电池的产能，提高TOPCon电池的转换效率和良品率均具有重要意义。

技术领域

本发明属于TOPCon电池制备技术领域，涉及一种绕镀多晶硅的清洗工艺，具体涉及一种适用于TOPCon电池绕镀多晶硅的清洗工艺。

背景技术

遂穿氧化钝化接触太阳能电池(TOPCon电池)具有理论效率高，与PERC产线兼容度高，生产原料丰富价廉，设备投资相对HJT电池偏低等优点，有望接棒PERC电池成为下一代主流N型晶硅电池技术。由于LPCVD技术生产的poly(多晶硅)具有优异的钝化性能，LPCVD技术路线成为了TOPCon电池最先成熟的技术路线。虽然LPCVD制备的poly层钝化效果好，但是，poly绕镀清洗却成为了该技术路线的一个痛点问题。

为了改善poly绕镀导致的效率和良率问题，主流的解决方案是以硼扩散面BSG为掩膜，以单槽单插方式进行双面氧化和双面poly沉积，正面poly清洗可以通过混酸洗方案或者链式去PSG加槽式碱性方案完成，该方案虽然能够有效解决poly绕镀导致的效率和良率问题，但是在LPCVD工序需要进行单槽单插双面沉积工艺，意味着LPCVD产能减半，增加制造成本，且不利于LPCVD机台产能释放。另外一种清洗方案是直接对正面绕镀多晶硅进行链式混酸洗，该方案绕镀清洗外观和EL不良的比例较高，且正面非绕镀区域硼扩散发射极方阻上升过大，导致烧结接触不佳，电池片中心和边缘区域EL明暗程度不一。此外，在本申请的实际研究过程中还发现：上述现有清洗方法，用于清洗以单槽双插方式进行单面poly沉积所带来的poly绕镀时，并不能有效的将绕镀多晶硅清洗干净，或者为了实现绕镀多晶硅的清洗干净，容易破坏硼发射极原有结构，不利于提高电池的转换效率和良品率，因而现有清洗方法并不能用于单槽双插单面沉积工艺，难以提高TOPCon电池的产能。因此，如何获得一种既能够有效解决因多晶硅绕镀而导致的电池转换效率和良品率低的问题，又能释放LPCVD机台产能的绕镀多晶硅的清洗工艺，对于降低TOPCon电池的生产成本以及提高TOPCon电池的产能具有重要意义。

发明内容

本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种既能够有效解决因多晶硅绕镀而导致的电池转换效率和良品率低的问题，又能释放LPCVD机台产能的绕镀多晶硅的清洗工艺。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：

一种绕镀多晶硅的清洗工艺，包括以下步骤：

(1)获取存在绕镀多晶硅的硅片；

(2)采用氢氟酸溶液对硅片正面和边缘绕镀多晶硅上的PSG层进行链式清洗，所述链式清洗过程中控制水膜流量为5mL/片～40mL/片，使得硅片正面BSG层的减薄量为20nm～60nm，且硅片正面BSG层的保留厚度在40nm以上；

(3)在硅片正面BSG层和背面PSG层的保护作用，采用碱性溶液对硅片正面和边缘绕镀多晶硅进行清洗；

(4)去除硅片正面BSG层和背面PSG层，完成对硅片绕镀多晶硅的去除。

上述的清洗工艺，进一步改进的，步骤(2)中，所述硅片正面BSG层的保留厚度为40nm～100nm。

上述的清洗工艺，进一步改进的，步骤(2)中，所述氢氟酸溶液的体积比浓度为0.5％～5％；所述氢氟酸溶液的温度为10℃～25℃。