[发明专利]一种抑制离子转变的激光陶瓷材料在审
| 申请号： | 202111406231.9 | 申请日： | 2021-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN114149259A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 赵伊卓;赵利;秦煜宸;秦勇;任喆 | 申请（专利权）人： | 海南钇坤智能科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/48 | 分类号： | C04B35/48;C04B35/622;C09K11/80 |
| 代理公司： | 杭州山泰专利代理事务所(普通合伙) 33438 | 代理人： | 张飞 |
| 地址： | 572000 海南省三亚市崖州*** | 国省代码： | 海南;46 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 离子 转变 激光 陶瓷材料 | ||
1.一种抑制离子转变的激光陶瓷材料，其特征在于：其化学式为：Y3Al5-xHfxO12:Ce3+,其中0x0.5，即在Y3Al5O12:Ce3+中引入Hf元素；
所述陶瓷材料通过下述制备方法制备得到，所述制备方法包括如下步骤：
(1)依照化学式按摩尔比例盛取原料，分散于水中，研磨制成浆料，其中原料包括Y源、Al源、Hf源、Ce源；
(2)将步骤(1)中的所得浆料煅烧，形状粉料；
(3)将步骤(2)中所得的粉料加入粘合剂，进行造粒，造粒后过筛并压制成胚体；
(4)煅烧步骤(3)中得到的胚体，得到陶瓷材料。
2.根据权利要求1所述的一种抑制离子转变的激光陶瓷材料的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
(1)依照化学式按摩尔比例盛取原料，分散于水中，研磨制成浆料，其中原料包括Y源、Al源、Hf源、Ce源；
(2)将步骤(1)中的所得浆料煅烧，形状粉料；
(3)将步骤(2)中所得的粉料加入粘合剂，进行造粒，造粒后过筛并压制成胚体。
(4)煅烧步骤(3)中得到的胚体，得到陶瓷材料。
3.根据权利要求2所述的一种抑制离子转变的激光陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，Y源、Al源、Ce源、Hf源均选自其本身的氧化物、碳酸盐中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的一种抑制离子转变的激光陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中，所述原料包括HfO2、Al2O3、CeO2、Y2O3。
5.根据权利要求3所述的一种抑制离子转变的激光陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中，所用水为去离子水。
6.根据权利要求3所述的一种抑制离子转变的激光陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中，煅烧的温度为1150～1300℃，时间为7.5～9h。
7.根据权利要求3所述的一种抑制离子转变的激光陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中，粘合剂为聚乙烯醇水溶液，其浓度为9～10wt％，压制的压力为9～10Mpa，过筛是指是指过350～500目筛网。
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