[发明专利]一种悬浮还原制备氮化铝粉体的方法在审

专利信息
申请号: 202111404581.1 申请日: 2021-11-24
公开(公告)号: CN113860879A 公开(公告)日: 2021-12-31
发明(设计)人: 刘付朋;陈飞雄;曾洪;廖彬;马帅兵;郭勇 申请(专利权)人: 江西理工大学
主分类号: C04B35/581 分类号: C04B35/581;C04B35/626
代理公司: 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 代理人: 钟丹
地址: 341000 *** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 悬浮 还原 制备 氮化 铝粉体 方法
【说明书】:

本发明公开了一种悬浮还原制备氮化铝粉体的方法,将铝源、碳源混合获得混合料,所述碳源选自葡萄糖和/或蔗糖;再加入水、表面活性剂混合获得浆料,反应获得碳铝包裹物,液固分离、干燥处理得到氮化铝前驱体,将氮化铝前驱体通过载气喷入悬浮炉的炉膛内中,由上至下穿过悬浮炉炉膛的高温还原区,进行还原、氮化反应,所述还原、氮化反应的时间≦60s,获得粗制氮化铝物料,后经除碳、破碎即得氮化铝粉体。本发明所制备的氮化铝粉体纯度较高、形貌较为均一规整,本发明工艺所采用的悬浮炉密封性好、气氛易控制且安全可靠,所提出的工艺路线短、效率高、能耗低、环境好、产能大,具有较高的经济价值和应用前景。

技术领域

本发明涉及氮化铝材料制备领域,具体涉及一种悬浮还原制备氮化铝粉体的方法。

背景技术

氮化铝作为一种新型陶瓷材料,具有高热导率(理论可达319W/m·K)、低介电常数(在1MHz测试条件下为8.0)和介电损耗(介电损耗角为tanδ=10-4)、与硅相匹配的热膨胀系数(3.2×10-6K-1)、良好的绝缘性、耐高温性等特点,已成为当今最为理想的基板材料和电子器件封装材料,广泛应用于国防军事、航空航天、汽车电子、人工智能等领域。而高质量粉末原料是获得高性能AlN陶瓷的先决条件,要制备高导热的AlN陶瓷,首先需要制备出高纯度、细粒度、分散性好和烧结性优的AlN粉末,而这些因素均取决于初始原料的纯度、合成方法和反应条件。

传统的氮化铝粉末的制备方法有:直接氮化法、碳热还原法、自蔓延高温合成法、化学气相沉积法等。其中,直接氮化法成本低廉、工艺简单,但产物氮化不彻底、易团聚,粉末形貌不规则,难以合成高纯度、细粒度的产品;自蔓延高温合成法反应速度快、节能环保、产物活性高,但反应难控制、纯度不高、产物极易团聚,化学气相沉积法合成产物纯度高、颗粒形貌好,但原料成本高昂、设备要求高、不宜工业生产。

碳热还原法合成产物纯度高、粒度均匀,工业化应用较为广泛,但制备步骤复杂,反应温度高、保温时间长、能耗高。其主要操作步骤是在1600℃-1750℃下,将氧化铝和碳的混合物在氮气气流中反应4-10h,得到含有过量碳的氮化铝粉末,然后在600-900℃保温10-16h,脱碳后得到氮化铝。专利CN106882773A提出采用两段还原氮化法制备氮化铝,但工艺流程较为复杂,冷热料不断交换,能耗较高。专利CN109437918A提出采用混料-研磨-造球-排胶-碳热还原-氧化除碳-研磨等方法制备氮化铝粉体;专利CN201811486562.6提出采用混料-研磨-制片-碳热还原-氧化除碳-研磨等方法制备氮化铝粉体;但以上工艺均存在流程复杂、能耗高、产品质量低、效率低等问题。

发明内容

为解决目前碳热还原法制备氮化铝存在的技术难题,本发明提出一种快速、高效通过悬浮还原制备氮化铝粉体的方法,通过该方法不仅能实现碳在铝源表面的均匀包覆,而且能实现包覆碳的铝源悬浮状态下与氮气充分接触,使其具有优越的反应动力学条件,该过程通过自动抽气装置,促使还原、氮化反应的充分进行。

为解决上述问题,本发明采用如下技术方案:

本发明一种悬浮还原制备氮化铝粉体的方法,包括以下步骤:将铝源、碳源混合获得混合料,所述碳源选自葡萄糖和/或蔗糖;再加入水、表面活性剂混合获得浆料,反应获得碳铝包裹物,液固分离、干燥处理得到氮化铝前驱体,将氮化铝前驱体通过载气喷入悬浮炉的炉膛内中,由上至下穿过悬浮炉炉膛的高温还原区,进行还原、氮化反应,所述还原、氮化反应的时间≦60s,获得粗制氮化铝物料,后经除碳、破碎即得氮化铝粉体。

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