[发明专利]一种沟槽二极管势垒层制备方法在审

专利信息
申请号: 202111402557.4 申请日: 2021-11-24
公开(公告)号: CN114122109A 公开(公告)日: 2022-03-01
发明(设计)人: 潘东辉;陆阳;张龙;李怀辉;赵国权 申请(专利权)人: 扬州国宇电子有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L21/329;H01L21/324
代理公司: 南京源点知识产权代理有限公司 32545 代理人: 罗超;黄启兵
地址: 225000 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 沟槽 二极管 势垒层 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种沟槽二极管势垒层制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1:在硅衬底表面溅射金属;

S2:经快速退火炉退火横向形成势垒层;

S3:经合金炉退火纵向形成所述势垒层;

S4:去除所述硅衬底表面金属,完成所述势垒层制备。

2.根据权利要求1所述的沟槽二极管势垒层制备方法,其特征在于:在步骤S1中,溅射金属时将溅射腔室的排气速率控制为设定值。

3.根据权利要求2所述的沟槽二极管势垒层制备方法,其特征在于:所述溅射腔室的排气速率控制方法如下:在所述溅射腔室排气口处安装蝶阀,通过控制所述蝶阀的开度来调控排气速率。

4.根据权利要求1所述的沟槽二极管势垒层制备方法,其特征在于:所述步骤S2中,所述快速退火炉退火温度为350℃-380℃,退火时间为40s-50s。

5.根据权利要求4所述的沟槽二极管势垒层制备方法,其特征在于:所述步骤S3中,所述合金炉退火温度为420℃-470℃,退火时间为20Min-40Min。

6.根据权利要求1所述的沟槽二极管势垒层制备方法,其特征在于:所述步骤S1中,溅射的所述金属材质为Ni。

7.根据权利要求1所述的沟槽二极管势垒层制备方法,其特征在于:所述步骤S1中,所述硅衬底开设有沟槽,所述沟槽内生长有氧化层,所述氧化层覆盖所述沟槽。

8.根据权利要求7所述的沟槽二极管势垒层制备方法,其特征在于:所述氧化层从内至外依次包括氮化硅层和多晶硅层。

9.根据权利要求1所述的沟槽二极管势垒层制备方法,其特征在于:所述步骤S4中,通过王水去除硅衬底表面金属。

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