[发明专利]一种沟槽二极管势垒层制备方法在审
申请号: | 202111402557.4 | 申请日: | 2021-11-24 |
公开(公告)号: | CN114122109A | 公开(公告)日: | 2022-03-01 |
发明(设计)人: | 潘东辉;陆阳;张龙;李怀辉;赵国权 | 申请(专利权)人: | 扬州国宇电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L21/329;H01L21/324 |
代理公司: | 南京源点知识产权代理有限公司 32545 | 代理人: | 罗超;黄启兵 |
地址: | 225000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 沟槽 二极管 势垒层 制备 方法 | ||
1.一种沟槽二极管势垒层制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:在硅衬底表面溅射金属;
S2:经快速退火炉退火横向形成势垒层;
S3:经合金炉退火纵向形成所述势垒层;
S4:去除所述硅衬底表面金属,完成所述势垒层制备。
2.根据权利要求1所述的沟槽二极管势垒层制备方法,其特征在于:在步骤S1中,溅射金属时将溅射腔室的排气速率控制为设定值。
3.根据权利要求2所述的沟槽二极管势垒层制备方法,其特征在于:所述溅射腔室的排气速率控制方法如下:在所述溅射腔室排气口处安装蝶阀,通过控制所述蝶阀的开度来调控排气速率。
4.根据权利要求1所述的沟槽二极管势垒层制备方法,其特征在于:所述步骤S2中,所述快速退火炉退火温度为350℃-380℃,退火时间为40s-50s。
5.根据权利要求4所述的沟槽二极管势垒层制备方法,其特征在于:所述步骤S3中,所述合金炉退火温度为420℃-470℃,退火时间为20Min-40Min。
6.根据权利要求1所述的沟槽二极管势垒层制备方法,其特征在于:所述步骤S1中,溅射的所述金属材质为Ni。
7.根据权利要求1所述的沟槽二极管势垒层制备方法,其特征在于:所述步骤S1中,所述硅衬底开设有沟槽,所述沟槽内生长有氧化层,所述氧化层覆盖所述沟槽。
8.根据权利要求7所述的沟槽二极管势垒层制备方法,其特征在于:所述氧化层从内至外依次包括氮化硅层和多晶硅层。
9.根据权利要求1所述的沟槽二极管势垒层制备方法,其特征在于:所述步骤S4中,通过王水去除硅衬底表面金属。
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