[发明专利]显示装置与制造显示装置的方法

说明书

提供了显示装置与制造显示装置的方法，显示装置具有改善的显示品质。显示装置包括：衬底，包括第一基层、排列在第一基层上面的第二基层以及布置在第一基层与第二基层之间的第一阻挡层；第一薄膜晶体管，排列在衬底上面并且包括第一半导体层和第一栅电极，其中，第一阻挡层包括第一子层和布置在第一子层上的第二子层，第一子层包括无机材料，并且第二子层包括非晶硅和结晶硅。

相关申请的交叉引用

本申请基于并且要求于2020年11月27日向韩国知识产权局提交的第10-2020-0163051号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用以其整体并入本文中。

技术领域

一个或多个实施例涉及显示装置以及制造显示装置的方法，并且更具体地，涉及具有改善的显示品质的显示装置以及制造显示装置的方法。

背景技术

随着在视觉上表现各种电信号信息的显示器的领域迅速发展，已推出了具有诸如更薄和更轻量化以及低功耗的优异特性的各种显示装置。有机发光显示装置具有视角宽、对比度优异和响应速度快的优点，并且因此作为下一代显示装置而备受关注。

这种显示装置包括薄膜晶体管(TFT)和电容器作为驱动电路。这里，薄膜晶体管可包括半导体层和栅电极，半导体层包括沟道区、源极区和漏极区，并且栅电极通过栅极绝缘层与半导体层电绝缘。通常，薄膜晶体管的半导体层可包括非晶硅或多晶硅。

发明内容

在根据相关技术的显示装置中，在对薄膜晶体管的结构进行各种实现以增加控制显示元件是否发射光和控制发光的程度的精度的过程期间，多个薄膜晶体管中的一些的特性已改变和劣化，并且因此显示品质已劣化。

一个或多个实施例包括具有改善的显示品质的显示装置以及制造显示装置的方法。然而，这种技术问题为示例，并且本公开不限于此。

附加方面将部分在下面的描述中阐述，并且部分将从该描述变得显而易见，或者可通过本公开的所呈现的实施例的实践而获悉。

根据一个或多个实施例，显示装置包括：衬底，包括第一基层、排列在第一基层上面的第二基层以及布置在第一基层和第二基层之间的第一阻挡层；以及第一薄膜晶体管，排列在衬底上面并且包括第一半导体层和第一栅电极，其中，第一阻挡层包括第一子层和布置在第一子层上的第二子层，第一子层包括无机材料，并且第二子层包括非晶硅和结晶硅(crystallized silicon)。

结晶硅可占第二子层的约2％至约25％。

显示装置还可包括排列在衬底上面并且包括第二半导体层和第二栅电极的第二薄膜晶体管。第一半导体层可包括硅基半导体材料，并且第二半导体层可包括氧化物基半导体材料。

第一半导体层和第二半导体层可排列在不同的层上。

显示装置还可包括：栅极绝缘层，排列在第一半导体层和第一栅电极之间；以及层间绝缘层，排列在第一栅电极和第二半导体层之间。

第二半导体层可直接排列在层间绝缘层上。

显示装置还可包括底金属层，底金属层排列在衬底和第二半导体层之间，底金属层布置在对应于第二半导体层的区域上。

在平面视图中，第一半导体层可不与底金属层重叠。

衬底还可包括布置在第二基层上并且包括无机材料的第二阻挡层。

显示装置还可包括排列在第二阻挡层上的缓冲层，其中，第一半导体层可直接排列在缓冲层上。

第二子层可具有约0.02nm至约0.5nm的表面粗糙度。

第二子层可具有约4.0E+21atom/cm³至约6.0E+21atom/cm³的氢浓度。