[发明专利]一种HJT电池及其制备方法

权利要求书

1.一种HJT电池，其特征在于，包括：

N型晶体硅片；

本征非晶硅层，其分别位于所述N型晶体硅片正面和背面；

P型非晶硅薄膜层，其位于所述N型晶体硅片正面的本征非晶硅层表面；

n型非晶硅薄膜层，其位于所述N型晶体硅片背面的本征非晶硅层表面；

TCO导电层，其分别设于所述P型非晶硅薄膜层、所述n型非晶硅薄膜层表面；

银纳米线层，其分别设于所述P型非晶硅薄膜层对应的TCO导电层和所述n型非晶硅薄膜层对应的TCO导电层表面；

栅电极，其设于所述银纳米线层表面。

2.如权利要求1所述的HJT电池，其特征在于，所述银纳米线层中银纳米线的直径为10～50nm。

3.如权利要求1所述的HJT电池，其特征在于，所述栅电极的材料为银、铜、银铜合金中的任一种。

4.一种如权利要求1～3任一所述的HJT电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一N型晶体硅片；

在所述N型晶体硅片正面和背面分别制备本征非晶硅层；

在所述N型晶体硅片正面的本征非晶硅层表面制备P型非晶硅薄膜层；

在所述N型晶体硅片背面的本征非晶硅层表面制备n型非晶硅薄膜层；

在所述P型非晶硅薄膜层、所述n型非晶硅薄膜层表面分别制备TCO导电层；

在所述P型非晶硅薄膜层对应的TCO导电层和所述n型非晶硅薄膜层对应的TCO导电层表面分别制备银纳米线层；

在所述银纳米线层表面制备栅电极。

5.如权利要求4所述的HJT电池的制备方法，其特征在于，所述银纳米线层的制备方法具体包括以下步骤：

配制银纳米线银浆；

将所述银纳米银浆制备在P型非晶硅薄膜层对应的TCO导电层和所述n型非晶硅薄膜层对应的TCO导电层表面，即得到银纳米线层。

其中，所述银纳米线银浆包括以下重量份的原料：25～75份的银纳米线、0.5～10份的树脂、1.5～22份的助剂、5～40份的溶剂。

6.如权利要求5所述的HJT电池的制备方法，其特征在于，所述树脂包括热固性树脂或UV固化树脂。

7.如权利要求5所述的HJT电池的制备方法，其特征在于，所述助剂包括表面张力调节剂、流变调节剂、偶联剂、分散剂中的至少一种。

8.如权利要求5所述的HJT电池的制备方法，其特征在于，所述溶剂包括水和/或醇溶剂；所述醇溶剂包括正丁醇、松油醇、异丙醇中的至少一种。

9.如权利要求7所述的HJT电池的制备方法，其特征在于，所述表面张力调节剂包括氟碳表面活性剂、氟硅表面活性剂中的至少一种；

所述流变调节剂包括纤维素、PVP中的至少一种；

所述偶联剂乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷中的至少一种；

所述分散剂包括聚丙烯酰胺、脂肪酸聚乙二醇酯中的至少一种。

10.如权利要求4所述的HJT电池的制备方法，其特征在于，利用丝网印刷或移印方法将所述银纳米银浆制备在P型非晶硅薄膜层对应的TCO导电层和所述n型非晶硅薄膜层对应的TCO导电层表面。