[发明专利]一种CZTS薄膜太阳能电池用无Cd隧穿缓冲层的制备方法

权利要求书

1.一种CZTS薄膜太阳能电池用无Cd隧穿缓冲层的制备方法，包括以下步骤：

S1、将CZTS薄膜置于真空条件下，采用Zn靶在CZTS薄膜上溅射形成种子层，得到样品A；

S2、将样品A置于含有Zn源、S源以及络合剂的溶液I中进行化学浴沉积，得到样品B；

S3、将样品B置于惰性气氛中进行退火处理，得到CZTS薄膜太阳能电池用无Cd隧穿缓冲层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，溅射的功率为10～80W，溅射的气压为1～5Pa，溅射的时间为0.5～5s。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，Zn源选自氯化锌、硫化锌、硝酸锌中的一种。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，S源为硫脲。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，络合剂选自氨水、单乙醇胺、三乙醇胺中的一种。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，溶液I的溶剂选自去离子水、乙醇、丙酮、乙二醇甲醚、N,N-二甲基甲酰胺中的一种。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，化学浴沉积的温度为40～70℃，化学浴沉积的时间为10～30min。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，溶液I中Zn源的摩尔浓度为0.01～0.1mol/L、S源的摩尔浓度为0.01～0.1mol/L，络合剂与溶液I的体积比为1～4:50。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，惰性气氛的气体为氩气或氮气，退火处理的温度为50～500℃，退火处理的升温速率为1～50℃/min，退火处理的时间为10～30min。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述CZTS薄膜太阳能电池用无Cd隧穿缓冲层的厚度为45～80nm。