[发明专利]一种异质结背接触太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种异质结背接触太阳电池，包括：

n型硅片；

位于所述n型硅片背面的本征非晶硅层；

其特征在于，还包括：

位于所述本征非晶硅层背面的n+型非晶硅层，所述n+型非晶硅层呈点状且阵列分布；

覆盖在每个n+型非晶硅层背面的第一透明导电层；

位于所述本征非晶硅层背面的p+型非晶硅层，所述p+型非晶硅层处于n+型非晶硅层与所述第一透明导电层以外的区域；

覆盖在p+型非晶硅层上的第二透明导电层；

位于第二透明导电层背面的绝缘胶层，所述绝缘胶层处于横向或纵向中相邻的两个n+型非晶硅层和第一透明导电层之间；

位于第一透明导电层、绝缘胶层背面且与横向或纵向n+型非晶硅层和第一透明导电层处于同一横向或纵向上的负极栅线；

位于第二透明导电层背面且与负极栅线平行的正极栅线，所述负极栅线和所述正极栅线材质均为锡、铜、银混合的膏体浆料。

2.根据权利要求1所述的异质结背接触太阳电池，其特征在于，所述第一透明导电层的面积小于n+型非晶硅层的面积；

所述n+型非晶硅层和第一透明导电层的面积为0.003-0.3平方毫米。

3.根据权利要求1所述的异质结背接触太阳电池，其特征在于，所述n+型非晶硅层的点状规格为圆形或者四边形。

4.根据权利要求1所述的异质结背接触太阳电池，其特征在于，所述n+型非晶硅层和第一透明导电层与所述p+型非晶硅层和第二透明导电层之间具有间隙沟槽；

所述间隙沟槽的宽度为1-500微米。

5.根据权利要求1所述的异质结背接触太阳电池，其特征在于，所述绝缘胶层的宽度为20-200微米，厚度为5-50微米。

6.一种异质结背接触太阳电池的制备方法，用于制备如权利要求1~5任意一项所述的异质结背接触太阳电池，包括：

在n型硅片背面制备本征非晶硅层，制备所述本征非晶硅层采用PECVD工艺沉积；

其特征在于，还包括：

在本征非晶硅层背面制备p+型非晶硅层，所述p+型非晶硅层为原位B掺杂的p+型非晶硅层；

在p+型非晶硅层制备第二透明导电层,制备第二透明导电层采用PVD工艺；

将p+型非晶硅层和第二透明导电层阵列点状消融去除形成点状的n+型非晶硅层预留区域，所述阵列点状消融去除为通过皮秒或纳秒激光刻蚀；

在所述n+型非晶硅层预留区域内制备n+型非晶硅层，所述n+型非晶硅层为原位P掺杂的n+型非晶硅层，所述制备n+型非晶硅层为采用点状镂空的第一金属掩膜版并通过PECVD工艺镀膜，所述第一金属掩膜版的点状镂空图案与n+型非晶硅层预留区域一致；

在n+型非晶硅层上制备第一透明导电层，制备所述第一透明导电层为在点状镂空的第二金属掩膜版上通过PVD工艺镀膜；

在第二透明导电层背面制备绝缘涂层，所述绝缘胶层处于横向或纵向的相邻的两个n+型非晶硅层和第一透明导电层点状之间，绝缘胶层采用喷墨打印或丝网印刷制备；

在第一透明导电层、绝缘胶层背面制备与n+型非晶硅层和第一透明导电层处于同一横向或纵向上的负极栅线；

在p+型第二透明导电层背面制备与负极栅线平行的正极栅线，所述负极栅线和所述正极栅线材质均为锡、铜、银混合膏体浆料。

7.根据权利要求6所述的异质结背接触太阳电池的制备方法，其特征在于，点状镂空的第一金属掩膜版点状图案的面积小于激光刻蚀移除部分p+型非晶硅层和第二透明导电层形成n+型非晶硅层预留区域的点状区域面积；

第一金属掩膜版的点状镂空几何中心与激光刻蚀移除p+型非晶硅层和第二透明导电层形成n+型预留区域点状区域的几何中心对齐设置；

n+型非晶硅层的掺杂浓度为101⁸-10²¹cm^-3，厚度为50-250纳米；

掩膜制备的点状n+型非晶硅层与其周围的p+型非晶硅层之间存在间隙沟槽。