[发明专利]一种基于NiO/CuO异质结的人工突触器件及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202111396198.6 | 申请日： | 2021-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN114094010A | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 张莉;唐振华;梁展恒;范召缘;姚帝杰;胡松程;罗江浩 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G06N3/063 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杨丽爽 |
| 地址： | 510060 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 nio cuo 异质结 人工 突触 器件 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种基于NiO/CuO异质结的人工突触器件，其特征在于，所述人工突触器件包括导电基片、NiO/CuO异质结以及顶电极；
所述NiO/CuO异质结覆盖在所述导电基片的上表面；
所述顶电极覆盖在所述NiO/CuO异质结的上表面。
2.根据权利要求1所述的人工突触器件，其特征在于，所述导电基片包括FTO导电玻璃和/或ITO导电玻璃。
3.根据权利要求1所述的人工突触器件，其特征在于，所述顶电极包括金、银、铜、铝中的任意一种或多种。
4.权利要求1所述人工突触器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、在导电基体的上表面沉积CuO，得到CuO/导电基底；
步骤2、在所述CuO/导电基底的上表面沉积NiO，得到NiO/CuO异质结/导电基底；
步骤3、在所述NiO/CuO异质结/导电基底的上表面沉积金、银、铜、铝中的任意一种或多种金属，得到所述人工突触器件。
5.根据权利要求4所述的人工突触器件，其特征在于，步骤1、2、3中，所述沉积的方法包括真空蒸镀法、真空溅射镀法、真空离子镀法以及溶胶凝胶法中的任意一种。
6.根据权利要求5所述的人工突触器件，其特征在于，所述真空溅射镀法制备CuO/导电基底的步骤包括：
步骤101、将铜或铜合金和导电基片分别放置在溅射腔室的负极和正极；
步骤102、对正极和负极施加高电压，使所述溅射腔室辉光放电，得到沉积在所述导电基片上表面的CuO薄膜。
7.根据权利要求5所述的人工突触器件，其特征在于，所述溶胶凝胶法制备NiO/CuO异质结/导电基底的步骤包括：
步骤201、将NiO前驱体凝胶旋涂到CuO薄膜上表面，得到NiO/CuO异质结前驱体；
步骤202、将所述NiO/CuO异质结前驱体依次进行热解、退火，得到NiO/CuO异质结。
8.根据权利要求6所述的人工突触器件，其特征在于，所述溅射腔室的真空度为0.3～0.8Pa；
所述溅射腔室的射频电源功率为150～200W；
所述辉光放电的时间为15min，所述辉光放电的温度为25℃。
9.根据权利要求7所述的人工突触器件，其特征在于，所述热解温度为300-400℃，所述退火温度为600-650℃。
10.权利要求1-3任一项所述的人工突触器件或权利要求4-9所述制备方法制备得到的人工突触器件在人工神经网络系统领域中的应用。
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