[发明专利]发光二极管及发光装置有效
申请号: | 202111395331.6 | 申请日: | 2021-11-23 |
公开(公告)号: | CN114256398B | 公开(公告)日: | 2023-08-04 |
发明(设计)人: | 曹林华;陈婉君;王绘凝;唐荷映;贺春兰;江莉莉;张丽明;杨人龙;张中英 | 申请(专利权)人: | 泉州三安半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38 |
代理公司: | 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 | 代理人: | 李强;杨泽奇 |
地址: | 362343 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 发光 装置 | ||
1.一种发光二极管,其特征在于:所述发光二极管包括:
外延结构,包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层;
第一电极,位于所述外延结构上,且电连接所述第一半导体层;
第二电极,位于所述外延结构上,且电连接所述第二半导体层,所述第二电极包括起始部和连接于所述起始部的延伸部,所述延伸部至少具有一弧形部;
其中,所述弧形部具有相对的第一弧形边与第二弧形边,所述第一弧形边具有第一曲率半径,所述第二弧形边具有第二曲率半径,所述第一曲率半径小于所述第二曲率半径,所述第一弧形边和所述第二弧形边的凸起方向朝向同一方向,所述第一弧形边的圆心到所述第二弧形边的圆心的距离小于等于5μm,所述第一弧形边的圆心和所述第二弧形边的圆心不重合;
其中,所述延伸部还具有连接部,所述连接部的一端连接所述起始部,另一端连接所述弧形部,所述连接部的宽度大于等于所述弧形部的宽度,所述连接部具有相对的第一连接边和第二连接边,所述第一连接边具有第三曲率半径,所述第二连接边具有第四曲率半径,所述第一连接边和所述第二连接边的凸起方向的朝向不同,所述第三曲率半径和所述第四曲率半径小于所述第一曲率半径。
2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于:所述第一弧形边是截取自第一圆上的部分圆弧,所述第二弧形边是截取自第二圆上的部分圆弧,所述第一弧形边与所述第二弧形边的圆心分别是所述第一圆与所述第二圆的圆心。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管,其特征在于:所述第一弧形边的圆心到所述第二弧形边的圆心的距离大于等于1μm。
4.根据权利要求2所述的发光二极管,其特征在于:所述第一弧形边的弧长小于等于所述第一圆的周长的1/4,所述第二弧形边的弧长小于等于所述第二圆的周长的1/4。
5.根据权利要求2所述的发光二极管,其特征在于:所述第一圆内切于所述第二圆。
6.根据权利要求5所述的发光二极管,其特征在于:将所述第一圆和所述第二圆的交点定义为第一点,所述第二圆上距离所述第一点最远的点定义为第二点,第一点与第二点的连线定义为竖直线段,从所述发光二极管的上方朝向所述外延结构俯视,过所述第二点且垂直于所述竖直线段的直线穿过所述起始部的几何中心点。
7.根据权利要求6所述的发光二极管,其特征在于:所述第一弧形边的弧长占所述第一圆的周长的比例小于所述第二弧形边的弧长占所述第二圆的周长的比例。
8.根据权利要求6所述的发光二极管,其特征在于:所述第一圆的圆心、所述第二圆的圆心和所述起始部的几何中心点位于同一直线上。
9.根据权利要求5所述的发光二极管,其特征在于:将所述第一圆和所述第二圆的交点定义为第一点,所述第二圆上距离所述第一点最远的点定义为第二点,所述第一圆上距离所述第一点最远的点定义为第三点,连接所述第二点与所述第三点的线段为第一线段,过所述第一线段的中点且垂直于所述第一线段的直线是穿过所述起始部的几何中心点。
10.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于:所述延伸部还具有直线部,所述直线部的一端连接所述弧形部未连接所述连接部的一端。
11.根据权利要求10所述的发光二极管,其特征在于:所述直线部的宽度小于等于所述弧形部的宽度。
12.根据权利要求10所述的发光二极管,其特征在于:所述直线部的宽度范围是2-4μm。
13.根据权利要求10或12所述的发光二极管,其特征在于:所述第一曲率半径与所述第二曲率半径的差值等于所述直线部的宽度。
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