[发明专利]高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 202111392945.9 | 申请日： | 2017-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN114122128A | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 李源祥 | 申请（专利权）人： | RFHIC公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/40;H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;敖莲 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 | ||
1.一种半导体晶体管，其特征在于，包含：
外延层；
多个晶体管构件，形成在所述外延层的上表面上；
衬底，形成在所述外延层的底表面上，且设置在所述多个晶体管构件的部分下的区域外的区域上；
绝缘层，由电绝缘材料形成，且设置在所述衬底的底表面上以及在所述外延层的底表面的部分上；
至少一个贯通孔，从所述绝缘层的底表面经过所述外延层延伸至所述多个晶体管构件的至少一个的底表面，以及
至少一个金属层，形成在所述绝缘层的底表面、所述至少一个贯通孔的侧壁、及在所述多个晶体管构件的所述至少一个的所述底表面上；
焊膏，施予在所述至少一个金属层的底表面。
2.根据权利要求1所述的半导体晶体管，其特征在于，所述至少一个金属层包含：
第一金属层，形成在所述衬底的所述底表面、所述至少一个贯通孔的所述侧壁、及所述多个晶体管构件的所述至少一个的所述底表面上；以及
第二金属层，形成在所述第一金属层的底表面上。
3.根据权利要求1所述的半导体晶体管，其特征在于，所述半导体晶体管是高电子迁移率晶体管。
4.根据权利要求1所述的半导体晶体管，其特征在于，所述多个晶体管构件的所述至少一个包含源极。
5.根据权利要求1所述的半导体晶体管，其特征在于，所述多个晶体管构件的所述至少一个包含二个或更多的源极，其中所述至少一个贯通孔包含二个或更多的贯通孔，且所述二个或更多的贯通孔的每一个延伸到所述二个或更多的源极中的对应一个的所述底表面。
6.一种半导体晶体管，其特征在于，包含：
外延层；
多个晶体管构件，形成在所述外延层的上表面上；
衬底，形成在所述外延层的底表面上，且设置在所述多个晶体管构件的部分下的区域外的区域上；
绝缘层，由电绝缘材料形成，且设置在所述衬底的底表面上以及在所述外延层的底表面的部分上；
至少一个贯通孔，从所述绝缘层的底表面经过所述外延层延伸至所述多个晶体管构件的至少一个的底表面，
第一金属层，形成在所述衬底的所述底表面、所述至少一个贯通孔的所述侧壁、及所述多个晶体管构件的所述至少一个的所述底表面上；以及
第二金属层，形成在所述第一金属层的底表面上。
7.根据权利要求6所述的半导体晶体管，其特征在于，所述半导体晶体管是高电子迁移率晶体管。
8.根据权利要求6所述的半导体晶体管，其特征在于，所述多个晶体管构件的所述至少一个包含源极。
9.根据权利要求6所述的半导体晶体管，其特征在于，所述多个晶体管构件的所述至少一个包含二个或更多的源极，其中所述至少一个贯通孔包含二个或更多的贯通孔，且所述二个或更多的贯通孔的每一个延伸到所述二个或更多的源极中的对应一个的所述底表面。
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