[发明专利]可饱和吸收体、器件、制备方法及锁模激光器

权利要求书

1.一种可饱和吸收体，其特征在于，所述可饱和吸收体包括二维形式的Nb₂GeTe₄材料。

2.一种可饱和吸收体器件，其特征在于，包括光纤及承载于所述光纤的纤芯端面上的可饱和吸收体；

其中，所述可饱和吸收体包括二维形式的Nb₂GeTe₄材料。

3.一种可饱和吸收体器件的制备方法，其特征在于，包括：

制备Nb₂GeTe₄材料；

形成二维形式的Nb₂GeTe₄材料作为可饱和吸收体；

将所述二维形式的Nb₂GeTe₄材料转移至光纤的纤芯端面，得到可饱和吸收体器件。

4.如权利要求3所述的可饱和吸收体器件的制备方法，其特征在于，所述制备Nb₂GeTe₄材料，包括：

将铌粉、锗粉、碲粉和输运剂进行配比并混匀，形成混合原料；

将所述混合原料真空密封于一容器中；

将所述容器置于双温区中通过化学气相运输法生长5～10天，得到块状Nb₂GeTe₄材料。

5.如权利要求4所述的可饱和吸收体器件的制备方法，其特征在于，所述铌粉、锗粉和碲粉中Nb、Ge和Te的原子比例为1:(0.8～1.2):2。

6.如权利要求4或5所述的可饱和吸收体器件的制备方法，其特征在于，所述输运剂选自碘粒、氯化铵、氯化碘、四氯化碲或液溴。

7.如权利要求4或5所述的可饱和吸收体器件的制备方法，其特征在于，所述双温区的高温端温度设定为730～780℃，所述双温区的低温端温度设定为600～660℃。

8.如权利要求4或5所述的可饱和吸收体器件的制备方法，其特征在于，所述形成二维形式的Nb₂GeTe₄材料，包括：

通过胶带对所述Nb₂GeTe₄材料进行机械剥离，机械剥离后再将所述胶带粘附于二维材料转移热释放胶上，在所述二维材料转移热释放胶上形成二维形式的Nb₂GeTe₄材料。

9.如权利要求8所述的可饱和吸收体器件的制备方法，其特征在于，所述将所述二维形式的Nb₂GeTe₄材料转移至所述光纤的纤芯端面，包括：

通过所述二维材料转移热释放胶将所述二维形式的Nb₂GeTe₄材料转移至所述光纤的纤芯端面上。

10.一种锁模激光器，其特征在于，包括：

通过光纤依次连接为环形腔的波分复用器、第一偏振控制器、偏振无关隔离器、如权利要求2所述的可饱和吸收体器件、第二偏振控制器及光纤耦合器；

其中，所述波分复用器耦合有泵浦源，且所述光纤耦合器具有第一激光输出端和第二激光输出端，所述第一激光输出端与所述波分复用器连接。

11.如权利要求10所述的锁模激光器，其特征在于，连接于所述第一偏振控制器和偏振无关隔离器之间的光纤为掺铒光纤。

12.如权利要求11所述的锁模激光器，其特征在于，所述环形腔的长度为10～15m，所述掺铒光纤的长度为1～3m。

13.如权利要求10～12中任一项所述的锁模激光器，其特征在于，所述波分复用器的中心波长为980/1550nm，所述泵浦源为976nm波长的激光二极管。

14.如权利要求10～12中任一项所述的锁模激光器，其特征在于，所述光纤耦合器为20:80耦合器，所述光纤耦合器的第一激光输出端为80％端，所述光纤耦合器的第二激光输出端为20％端。