[发明专利]一种太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

多结子电池，所述多结子电池包括依次层叠的底电池、中间电池和顶电池；

盖帽层，所述盖帽层位于所述顶电池背离所述底电池一侧的部分表面，使所述顶电池具有裸露区域；

电极，所述电极位于所述盖帽层背离所述顶电池的一侧表面；

减反射复合层，所述减反射复合层层叠于所述顶电池的裸露区域。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述减反射复合层完全覆盖所述顶电池的裸露区域，并承接至所述电极的内沿。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述多结太阳能电池为三结太阳能电池，所述三结太阳能电池包括：

沿生长方向依次设置的Ge底电池、InGaAs中电池和顶电池，所述顶电池为GaInP顶电池或AlGaInP顶电池。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述减反射复合层包括沿生长方向依次设置且折射率逐渐减小的第一反射膜、第二反射膜和第三反射膜。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一反射膜的折射率为2.2-2.4，所述第二反射膜的折射率为1.6-1.7，所述第三反射膜的折射率为1.3-1.5，均包括端点值。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一反射膜包括Nb₂O₅薄膜，所述第二反射膜包括Al₂O₃薄膜，所述第三反射膜包括MgF₂薄膜。

7.根据权利要求4至6任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一反射膜、第二反射膜和第三反射膜的厚度依次增大。

8.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，用于制作形成权利要求1-7任意一项所述的太阳能电池，其中，所述太阳能电池包括三结太阳能电池，则所述制作方法包括如下步骤：

步骤S01、形成底电池，其中，所述底电池包括Ge底电池；

步骤S02、在所述底电池的表面形成中间电池，其中，所述中间电池包括InGaAs中电池；

步骤S03、在所述中间电池背离所述底电池的一侧形成顶电池，所述顶电池包括GaInP顶电池或AlGaInP顶电池；

步骤S04、在所述顶电池的表面沉积盖帽层；

步骤S05、在所述盖帽层的部分表面制作电极；

步骤S06、去除所述电极以外区域的盖帽层，并裸露所述顶电池的部分表面；

步骤S07、所述顶电池的裸露区域蒸镀形成减反射复合层。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述减反射复合层包括沿生长方向依次设置且折射率逐渐减小的第一反射膜、第二反射膜和第三反射膜。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述第一反射膜的折射率为2.2-2.4，所述第二反射膜的折射率为1.6-1.7，所述第三反射膜的折射率为1.3-1.5，均包括端点值。