[发明专利]一种半导体器件高温测试用的加热装置及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件高温测试用的加热装置的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

A、提供待固定到陶瓷发热片上的石墨片，所述陶瓷发热片设于一安装座的上表面；

B、将含有石墨粉的粘合剂涂敷在所述陶瓷发热片的表面上，并将所述石墨片覆于所述陶瓷发热片上；

C、加热并在所述石墨片上施加压力，以使所述粘合剂固化并将所述石墨片固定在所述陶瓷发热片上。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤C具体包括：所述陶瓷发热片加热至110～150℃，在所述石墨片上施加大于100N/cm²的压力，保持1～5min使所述粘合剂固化。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤B中，将所述石墨片覆盖所述陶瓷发热片的上表面，并将所述石墨片的未覆盖所述陶瓷发热片的边缘部分向下折弯以包覆在所述陶瓷发热片的侧面及所述安装座的侧面。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述安装座内设有用于通入冷却液的孔道；和/或，所述安装座由金属或合金制成；和/或，所述粘合剂包括水基石墨。

5.一种半导体器件高温测试用的加热装置，包括安装座及设于所述安装座上表面上的陶瓷发热片，其特征在于，所述加热装置还包括石墨片，所述石墨片通过粘合层固定于所述陶瓷发热片上，所述粘合层由含有石墨粉的粘合剂形成。

6.根据权利要求5所述的加热装置，其特征在于，通过加温和/或加压将所述石墨片通过所述粘合层固定于所述陶瓷发热片上。

7.根据权利要求6所述的加热装置，其特征在于，通过加温至110～150℃及加压至100N/cm²以上1～5min将所述石墨片通过所述粘合剂固定于所述陶瓷发热片上。

8.根据权利要求5所述的加热装置，其特征在于，所述粘合剂包括水基石墨。

9.根据权利要求5所述的加热装置，其特征在于，所述石墨片包括覆于所述陶瓷发热片上表面的主体部及自所述陶瓷发热片的上表面的边缘向下折弯的折弯部，所述折弯部覆于所述陶瓷发热片的侧面及所述安装座的侧面，所述主体部和所述折弯部一体成型。

10.根据权利要求5所述的加热装置，其特征在于，所述安装座内设有用于通入冷却液的孔道；和/或，所述安装座由金属或合金制成。