[发明专利]一种高洁净度保护膜及其制备方法

权利要求书

1. 一种高洁净度保护膜，其特征在于，包括基膜层和胶粘层，其中胶粘层使用的胶料包括如下重量份的原料组成：

乙烯基聚二甲基硅氧烷  5～13份

硼酸改性有机硅树脂    2～4份

环氧丙烯酸酯          20～40份

丙烯酸                15～25份

引发剂                0.1～0.3份

催化剂                0.01～0.03份

导电填料              0.5～1.5份

溶剂                  20～30份；

所述硼酸改性有机硅树脂按照如下制备方法制得：将硼酸溶液滴加入二甲基二乙氧基硅烷单体中，控制硼酸与入二甲基二乙氧基硅烷的重量比为(0.5～0.9):1，升温至 85～90℃，保温反应 4～6h，脱水干燥得到带有- Si-O-B-结构的硼酸改性有机硅树脂；

所述填料为MXene 纳米片Ti₂CT_x、MXene 纳米片Ti₂CT_x和氧化石墨烯混合物。

2.根据权利要求1所述的高洁净度保护膜，其特征在于：所述乙烯基聚二甲基硅氧烷与环氧丙烯酸酯的重量比为(0.4～0.5):1。

3.根据权利要求2所述的高洁净度保护膜，其特征在于：所述硼酸改性有机硅树脂与环氧丙烯酸酯的重量比为1:10。

4.根据权利要求1所述的高洁净度保护膜，其特征在于：所述引发剂为过硫酸盐、过氧化二苯甲酰、过氧化新戊酸叔丁酯中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的高洁净度保护膜，其特征在于：所述催化剂为二月桂酸二丁基锡、异辛酸铋、异辛酸锌中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的高洁净度保护膜，其特征在于：所述导电填料由氧化石墨烯和MXene纳米片按照重量比1:1组成。

7.根据权利要求6所述的高洁净度保护膜，其特征在于：所述导电填料与环氧丙烯酸酯的重量比为1:30。

8.根据权利要求1所述的高洁净度保护膜，其特征在于：所述溶剂为乙酸乙酯、醋酸丁酯、醋酸异戊酯中的一种或多种。

9.权利要求1-8中任意一项所述的高洁净度保护膜的制备方法，其特征在于：包括如下制备步骤：

胶料配制：称取配方量的胶料原料，搅拌混匀后得到胶粘层胶料；

基膜表面进行电晕处理后，将上述胶料涂敷于基膜表面，固化得到保护膜。