[发明专利]集成过压保护的氮化镓器件驱动电路

权利要求书

1.一种集成过压保护的氮化镓器件驱动电路，其特征在于，包括：依次连接的驱动模块、反馈控制模块和升压转换模块；

所述升压转换模块用于输出驱动电路的输出电压，所述升压转换模块的反馈电压输出端将输出电压反馈至所述反馈控制模块；

所述反馈控制模块配置为：将所述输出电压与预设电压值进行比较，并当输出电压高于预设电压值时，产生低电平信号，并反馈至驱动模块；

所述驱动模块配置为：当接收到所述反馈控制模块反馈的低电平信号时，断开所述升压转换模块的内部电路。

2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动模块包括与非门逻辑电路、反相器和驱动缓冲器；

所述逻辑与非门电路的第一输入端连接反馈控制模块的输出端，所述逻辑与非门电路的第二输入端连接驱动控制信号，所述逻辑与非门电路的输出端依次连接所述反相器和驱动缓冲器，所述驱动缓冲器的输出端连接所述升压转换模块的输入端。

3.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述与非门逻辑电路包括串联连接的双栅氮化镓增强型MOS管和单栅耗尽型MOS管，所述双栅氮化镓增强型MOS管的一个栅极作为所述与非门逻辑电路的第一输入端，所述双栅氮化镓增强型MOS管的另一个栅极作为所述逻辑与非门电路的第二输入端，所述双栅氮化镓增强型MOS管和单栅耗尽型MOS管的串联连接点作为所述与非门逻辑电路的输出端。

4.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述反馈控制模块包括比较器电路和两级级联的反相器电路；

所述比较器电路的反相输入端连接所述升压转换模块的反馈电压输出端，所述比较器电路的正相输入端连接参考电压；

所述比较器电路的输出端连接所述反相器电路的输入端，所述反相器电路的输出端连接所述与非门逻辑电路的第一输入端。

5.根据权利要求4所述的驱动电路，其特征在于，所述升压转换模块包括功率开关管和电压采集电路，所述功率开关管的控制端连接所述驱动缓冲器的输出端，所述功率开关管的输入端通过串联电感连接电源，且所述功率开关管与所述电感串联点的电压为输出电压；

所述电压采集电路的输入端连接输出电压，所述电压采集电路的输出端作为所述升压转换模块的反馈电压输出端。

6.根据权利要求5所述的驱动电路，其特征在于，所述电压采集电路为分压电阻电路，所述分压电阻电路包括串联连接的第一电阻和第二电阻，所述第一电阻和第二电阻的串联连接点连接至所述与非门逻辑电路的第一输入端。

7.根据权利要求3所述的驱动电路，其特征在于，所述双栅氮化镓增强型MOS管和单栅耗尽型MOS管均为N沟道，所述单栅耗尽型MOS管的漏极接电源，所述单栅耗尽型MOS管的源极经串联的双栅氮化镓增强型MOS管接地。

8.根据权利要求7所述的驱动电路，其特征在于，所述双栅氮化镓增强型MOS管是对两个栅极通过不同深度的刻蚀以进行阈值电压调制后得到的。

9.根据权利要求8所述的驱动电路，其特征在于，所述双栅氮化镓增强型MOS管以氧化铝作为介电层。

10.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述双栅氮化镓增强型MOS管和单栅耗尽型MOS管采用的是MIS-HEMT器件。