[发明专利]存储器内运算方法及装置、存储器及存储介质

说明书

一种存储器内运算方法及装置、存储器及存储介质。该存储器包括具有多个存储单元的阵列，该阵列包括多行多列，该存储器内运算方法包括：在多个存储单元中选择存储用于运算的第一数值的第一存储单元以获取第一数值的第一信号；在多个存储单元中选择存储用于运算的第二数值的第二存储单元以获取第二数值的第二信号；在存储器内使用第一数值的第一信号和第二数值的第二信号进行运算。该方法通过在存储器内读取需要运算的存储单元中的数值并完成逻辑运算，不仅有效缩短了逻辑运算时间，且无需额外的外部存储设备，进而缩小芯片面积，降低功耗。

技术领域

本公开的实施例涉及一种存储器内运算方法及装置、存储器及存储介质。

背景技术

静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory，SRAM)是随机存取存储器的一种。“静态”是指这种存储器只要保持通电，存储的数据就可以恒常保持。例如，SRAM包括存储单元阵列、地址译码器(包括行译码器和列译码器)、灵敏放大器、控制电路和缓冲/驱动电路。存储阵列中的每个存储单元都与其它单元在行和列上共享电学连接，其中水平方向的连线称为“字线”(WL，word line)，而垂直方向的数据流入和流出存储单元的连线称为“位线”(BL，bit line)。通过输入的地址可选择特定的字线和位线，字线和位线的交叉处就是被选中的存储单元，然后再对其进行读写操作。

发明内容

本公开至少一实施例提供一种存储器内运算方法，所述存储器包括具有多个存储单元的阵列，所述阵列包括多行多列，所述方法包括：在所述多个存储单元中选择存储用于所述运算的第一数值的第一存储单元以获取所述第一数值的第一信号；在所述多个存储单元中选择存储用于所述运算的第二数值的第二存储单元以获取所述第二数值的第二信号；在所述存储器内使用所述第一数值的第一信号和所述第二数值的第二信号进行所述运算，得到运算结果。

例如，在本公开一些实施例提供的存储器内运算方法中，所述阵列还包括多条第一字线、多条第一位线、多条第二字线和多条第二位线，每个所述存储单元包括由对应的第一字线控制的第一读出端口和由对应的第二字线控制的第二读出端口，所述第一读出端口连接对应的第一位线，且通过所述对应的第一位线输出所述第一信号，所述第二读出端口连接对应的第二位线，且通过所述对应的第二位线输出所述第二信号。所述方法还包括：所述第一存储单元对应的第一字线控制所述第一存储单元通过所述第一读出端口在所述对应的第一位线输出所述第一信号，所述第二存储单元对应的第二字线控制所述第二存储单元通过多数第二读出端口在所述对应的第二位线输出所述第二信号。

例如，在本公开一些实施例提供的存储器内运算方法中，所述第一存储单元和所述第二存储单元被同步选中，同步获取所述第一信号和所述第二信号。

例如，在本公开一些实施例提供的存储器内运算方法中，在同一操作周期内，选择所述第一存储单元和所述第二存储单元、获取所述第一信号和所述第二信号以及得到所述运算结果。

例如，在本公开一些实施例提供的存储器内运算方法中，通过灵敏放大器读出所述第一存储单元对应的第一位线输出的所述第一信号和/或所述第二存储单元对应的第二位线输出的所述第二信号。

例如，在本公开一些实施例提供的存储器内运算方法中，将所述第一信号和所述第二信号通过运算模块进行运算获得所述运算结果。

例如，在本公开一些实施例提供的存储器内运算方法中，所述运算包括逻辑运算。

例如，在本公开一些实施例提供的存储器内运算方法中，所述运算模块包括多个运算单元，所述第一信号和所述第二信号被输入到所述多个运算单元。所述方法还包括：接收用于确定运算类型的选择信号，根据所述选择信号将所述第一信号和所述第二信号发送至所述多个运算单元中所述选择信号确定的运算类型对应的运算单元以进行运算。

例如，在本公开一些实施例提供的存储器内运算方法中，所述多个运算单元包括与门、或门、非门、与非门、异或门、同或门中一个或多个。