[发明专利]一种单相Bi4

权利要求书

1.一种单相Bi₄B₁₆O₃₀陶瓷的超低温烧结制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

1）以B₂O₃粉末和Bi₂O₃粉末为原料，将原料按照Bi₄B₁₆O₃₀化学计量比进行称量，备用；

2）将步骤1）称量好的B₂O₃粉末和Bi₂O₃粉末加入球磨罐中进行球磨，球磨工艺条件为：使用行星式球磨机干法球磨，转速300~400转/min，球磨2~4小时，球磨后预烧合成所需物相，预烧合成粉料工艺条件为：在密封的容器中烧结，预烧温度为680~690℃，预烧时间为50~70小时，得到粉料；

3）将步骤2）所得粉料进行二次球磨，所得粉末干燥后造粒压片再排胶、烧结得到单相Bi₄B₁₆O₃₀陶瓷，烧结工艺条件为：置于密封容器内烧结，室温下以3~5℃/min的升温速率升温至700～715℃，保温6~8小时。

2.根据权利要求1所述的单相Bi₄B₁₆O₃₀陶瓷的超低温烧结制备方法，其特征在于，步骤1）所述B₂O₃粉末和Bi₂O₃粉末纯度≥99%。

3.根据权利要求1所述的单相Bi₄B₁₆O₃₀陶瓷的超低温烧结制备方法，其特征在于，步骤3）二次球磨工艺条件为：使用行星式球磨机进行球磨，以异丙醇或无水乙醇为溶剂，转速400~500转/min，球磨时间为6~10小时。

4.根据权利要求1所述的单相Bi₄B₁₆O₃₀陶瓷的超低温烧结制备方法，其特征在于，步骤3）造粒压片工艺条件为：以质量分数为5%的聚乙烯醇溶液为粘合剂，按照1滴粘结剂/克粉料的量添加粘结剂进行造粒，压片的压力为100~120Mpa。

5.根据权利要求1所述的单相Bi₄B₁₆O₃₀陶瓷的超低温烧结制备方法，其特征在于，步骤3）排胶工艺条件为：在300～500℃下加热6～12小时。