[发明专利]显示面板制备方法、显示面板和显示装置

权利要求书

1.一种显示面板制备方法，其特征在于，包括：

提供阵列基板，所述阵列基板的表面具有凹槽，所述凹槽的槽体在所述阵列基板上的正投影的面积大于所述凹槽的开口在所述阵列基板上的正投影的面积；

采用原子层沉积法，在所述阵列基板的表面制备第一封装层，所述第一封装层完全包覆所述凹槽的表面。

2.根据权利要求1所述的显示面板制备方法，其特征在于，在所述阵列基板的表面制备第一封装层的步骤包括：

在腔室压力范围为1000mtorr至2000mtorr、腔室温度范围为80℃至110℃、载台温度范围为70℃至95℃、极板间距范围为20mm至30mm、射频功率范围为5000瓦特至8000瓦特的条件下，通入前驱体，在所述阵列基板的表面沉积单原子，以形成第一封装层。

3.根据权利要求2所述的显示面板制备方法，其特征在于，所述前驱体包括硅系气体、一氧化氮及氧气中的至少一种，硅系气体通入量范围为2000sccm至4000sccm，一氧化氮通入量范围为1000sccm至3000sccm，氧气通入量范围为1500sccm至3000sccm。

4.一种显示面板，其特征在于，由如权利要求1至3任一项所述的制备方法制备而成。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，包括显示区、开孔区以及位于所述显示区和所述开孔区之间的过渡区，所述过渡区包括阵列基板，所述阵列基板的表面设有多个凹槽，所述多个凹槽沿所述开孔区向所述显示区的延伸方向间隔排布；在所述开孔区向所述显示区的延伸方向上，所述凹槽的槽体的最大尺寸大于所述凹槽的开口的尺寸。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，在所述阵列基板至所述第一封装层的方向上，所述凹槽的槽体的截面为倒梯形。

7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，在所述阵列基板至所述第一封装层的方向上，所述凹槽的截面为梯形；

优选的，所述梯形的底边夹角大于或等于45度。

8.根据权利要求4至7任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一封装层的阶梯覆盖性的范围为90％至99％。

9.根据权利要求4至7任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一封装层的膜层厚度范围为30纳米至50纳米。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求4至9任一项所述的显示面板。