[发明专利]烟草亚适低温及氮丰缺响应基因NtSNR1及其应用在审
| 申请号： | 202111364760.7 | 申请日： | 2021-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN116135977A | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 黄平俊;蒲文宣;刘来华;张新要;高军平;彭宇;吴长征;盛崧 | 申请（专利权）人： | 湖南中烟工业有限责任公司 |
| 主分类号： | C12N15/29 | 分类号： | C12N15/29;C07K14/415;C12Q1/6895 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人： | 袁靖 |
| 地址： | 410014 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 烟草 低温 氮丰缺 响应 基因 ntsnr1 及其 应用 | ||
1.烟草亚适低温及氮丰缺响应基因NtSNR1，其特征在于，其cDNA序列如SEQ ID No.1所示。
2.根据权利要求1所述的烟草亚适低温及氮丰缺响应基因NtSNR1，其特征在于，还包括相似性不低于95％的具有类似功能的基因序列；所述的类似功能包括表达亚适低温及氮丰缺响应功能的多肽或蛋白。
3.根据权利要求1所述的烟草亚适低温及氮丰缺响应基因NtSNR1，其特征在于，所述的亚适低温及氮丰缺响应适用于植物，尤其是烟草。
4.根据权利要求2所述的烟草亚适低温及氮丰缺响应基因NtSNR1，其特征在于，所述的亚适低温及氮丰缺响应具体包括：
(1)该基因在叶片中的相对表达量高于在根系中的表达；
(2)培养基质正常供氮2.5-3.5mM时，正常温度22-28℃下，NtSNR1在叶片中的表达量低，但在亚适低温15-18℃下则其表达量上调；
(3)培养基质高浓度供氮4.5-5.5mM时，该基因在叶片中的表达量随植物受亚适低温15-18℃胁迫时间的延长，以及随正常温度22-28℃下生长的延时而受到诱导。
5.根据权利要求4所述的烟草亚适低温及氮丰缺响应基因NtSNR1，其特征在于，所述的亚适低温及氮丰缺响应具体包括：
(1)该基因在叶片中的相对表达量高于在根系中的表达；
(2)培养基质正常供氮3mM时，正常温度25℃下，NtSNR1在叶片中的表达量低，但在亚适低温15-18℃下则其表达量上调；
(3)培养基质高浓度供氮5mM时，该基因在叶片中的表达量随植物受亚适低温15-18℃胁迫时间的延长，以及随正常温度25℃下生长的延时而受到诱导。
6.一种烟草亚适低温及氮丰缺响应基因NtSNR1表达的多肽或蛋白，其特征在于，其氨基酸序列如SEQ ID No.2所示。
7.根据权利要求6所述的烟草亚适低温及氮丰缺响应基因NtSNR1表达的多肽或蛋白，其特征在于，还包括相似性不低于95％的具有类似功能的氨基酸序列；所述的类似功能包括能使烟草对亚适低温及氮丰缺进行表达响应。
8.根据权利要求6所述的烟草亚适低温及氮丰缺响应基因NtSNR1表达的多肽或蛋白，其特征在于，所述的亚适低温及氮丰缺响应适用于植物，尤其是烟草。
9.根据权利要求7所述的烟草亚适低温及氮丰缺响应基因NtSNR1表达的多肽或蛋白，其特征在于，所述的亚适低温及氮丰缺响应具体包括：
(1)该基因在叶片中的相对表达量高于在根系中的表达；
(2)培养基质正常供氮2.5-3.5mM时，正常温度22-28℃下，NtSNR1在叶片中的表达量低，但在亚适低温15-18℃下则其表达量上调；
(3)培养基质高浓度供氮4.5-5.5mM时，该基因在叶片中的表达量随植物受亚适低温15-18℃胁迫时间的延长，以及随正常温度22-28℃下生长的延时而受到诱导。
10.根据权利要求9所述的烟草亚适低温及氮丰缺响应基因NtSNR1表达的多肽或蛋白，其特征在于，所述的亚适低温及氮丰缺响应具体包括：
(1)该基因在叶片中的相对表达量显著高于在根系中的表达；
(2)培养基质正常供氮3mM时，正常温度25℃下，NtSNR1在叶片中的表达量低，但在亚适低温15-18℃下则其表达量上调；
(3)培养基质高浓度供氮5mM时，该基因在叶片中的表达量随植物受亚适低温15-18℃胁迫时间的延长，以及随正常温度25℃下生长的延时而受到诱导。
11.烟草亚适低温及氮丰缺响应基因NtSNR1的应用，其特征在于，用于筛选或培养亚适低温下涉及氮素利用的植物品种和/或为研究植物氮的吸收利用提供研究材料。
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